Author Archives: huang, Mia

SiC/GaN外延设备厂爱思强2023年业绩创新高
作者 |发布日期 2024 年 03 月 13 日 15:47 | 分类 企业
近日，爱思强公布2023全年及四季度业绩报告。尽管外部环境较为低迷，但在G10系列新设备及其他设备产品的推动下，2023全年爱思强仍实现了订单量、销售额和利润的大幅增长。 01、2023年，订单、营收、利润创新高 2023全年，爱思强实现总营收6.299亿欧元（约合人民币49....  [详内文]

营收可达数百万美元，纳微GaN/SiC技术助攻AI数据中心
作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:43 | 分类 企业
3月11日，纳微半导体（下文简称“纳微”）公布了其AI数据中心技术路线图，为满足预计在未来12-18月内类似指数级增长的AI功率需求，路线图中的产品功率将提高3倍。 纳微表示，传统CPU一般只需要300W，而数据中心交流/直流电源的功率大小通常等于10个CPU功率总和或3,000...  [详内文]

2家企业SiC MOSFET通过车规级可靠性认证
作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:14 | 分类 企业
3月11日，瞻芯电子和蓉矽半导体均有SiC MOSFET产品通过了车规级可靠性认证。 瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品 瞻芯电子表示，公司开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualifi...  [详内文]

SiC/GaN外延厂百识电子完成A+轮投资
作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 17:50 | 分类 企业
3月11日，南京百识电子科技有限公司（下文简称“百识电子”）宣布，公司已完成A+轮融资，多家知名机构参投。 据介绍，百识电子成立于2019年，可提供6吋碳化硅（SiC），以及6吋、 8吋硅基氮化镓（GaN-on-Si）专业外延代工服务。 百识电子指出，2023年公司外延工艺和技术...  [详内文]

东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分类 企业
3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称“东芝”）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏极电流（DC）额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”，并扩大了产品阵容。 source：东芝 据介绍，新产品M...  [详内文]

SiC企业安森德与高校合作建立实验室
作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 11:00 | 分类 企业
3月6日，安森德半导体（下文简称“安森德”）官微发文称，“南方科技大学深港微电子学院-安森德半导体联合实验室”（以下简称“联合实验室”）于近日在南科大微电子学院正式揭牌。 source：南方科技大学 安森德表示，联合实验室的成立，标志着双方将在电源管理及模拟芯片设计等技术领域的...  [详内文]

英飞凌、罗姆产品新进展
作者 |发布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分类 功率
近日，英飞凌和罗姆两大SiC龙头在产品端公布了新进展。 英飞凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飞凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术产品，CoolSiC MOSFET G2系列产品。 source：英飞凌 英飞凌表示，新一代C...  [详内文]

成本降低75%，SiC公司Gaianixx再获得1700万元融资
作者 |发布日期 2024 年 03 月 07 日 10:25 | 分类 企业
3月6日，日本东京大学初创企业Gaianixx Co., Ltd宣布，公司在B轮第二轮融资中筹集了3.5亿日元（折合人民币1700万元）。 公开资料显示，Gaianixx专注于开发、制造和销售“多能中间膜”和外延膜。公司旗下“多能中间膜”可用于生产调节电压和电流的功率半导体。该技...  [详内文]

英诺赛科拟赴港上市
作者 |发布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分类 企业
3月5日，据《路透社》旗下IFR报道，英诺赛科正计划最早于今年内，在香港进行IPO，融资规模约3亿美元。 消息还指出，英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。 据悉，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。而...  [详内文]

布局SiC，军工电子龙头出手振华科技
作者 |发布日期 2024 年 03 月 06 日 14:57 | 分类 企业
3月4日，中国振华（集团）科技股份有限公司（下文简称“振华科技”）在投资者关系平台表示，“十四五”期间，公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体。SiC方面，未来公司将具备芯片自主设计、封测能力，实现SiC SBD系列产品自制，同时开展SiC VDMOS系列产品的设计开发...  [详内文]