文章分类： 企业

拟向吉莱微电子增资2.2亿，综艺股份进军功率半导体迎新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 14 日 13:55 |
关键字:
| 分类: 企业 , 功率
近期，综艺股份披露重大资产购买报告书（草案），公司拟向江苏吉莱微电子股份有限公司（简称“吉莱微电子”）增资2.2亿元人民币，取得吉莱微电子4323.3494万股股份，占其增资后总股本的45.28%；同时吉莱微电子原实际控制人之一李大威同意将其直接持有的吉莱微电子828.71万股股...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

天岳先进大力扩产，港股募约17.64亿元！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:38 |
关键字:
| 分类: 企业
8月11日，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）正式开启港股招股，计划全球发售4774.57万股H股，其中香港发售占5%，国际发售占95%，发售价将不高于42.8港元。此次IPO引入了国能环保、未来资产证券、山金资产、和而泰等5名基石投资者，合计认购约7.4亿港元...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]

国产射频新篇章，欧益睿芯6英寸GaN工艺平台开放

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。 近日，合肥欧益睿芯科技有限公...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]

晶升股份推出SCML320A碳化硅外延炉

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:05 |
关键字:
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
8月5日，晶升股份官微宣布成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。 图片来源：晶升股份 据了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延炉生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，指标达到国际先进水平。此外，还支持N/P两种掺杂类型，可以满足不...  [详内文]

方正微电子、安世半导体发布最新碳化硅新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 13:42 |
关键字:
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）技术领域迎来了一系列重要新品发布，其中安世半导体（Nexperia）以及方正微电子均推出了各自的新产品。 方正微电子：高性能碳化硅 MOS 功率模块发布 近日，深圳市重大产业投资集团有限公司旗下的深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）正式推出了一款...  [详内文]