国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:52 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:42 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]

国产射频新篇章，欧益睿芯6英寸GaN工艺平台开放

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 14:39 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。 近日，合肥欧益睿芯科技有限公...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 14:01 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

应对中国厂商竞争，罗姆加速SiC研发

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC | edit

近期，罗姆半导体公布了2025财年一季度财报（2025年4月-6月）。该季，罗姆半导体实现营收1162亿日元，同比下滑1.8%，净利润为29亿日元，同比下滑14.3%。 图片来源：罗姆半导体 罗姆半导体表示，该季车用碳化硅器件销售保持稳健，但受客户调整因素影响，对外销售的SiC...  [详内文]

九峰山实验室宣布，碳化硅获得新突破！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:09 | 分类 碳化硅SiC | edit

8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。 ...  [详内文]

10倍增长空间，AI、汽车、机器人齐推GaN市场爆发

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:05 | 分类 报告 | edit

GaN已成为功率电子市场的重要增长点，其优越的材料性能赋予其在高频、高效、小型化电源应用中的独特优势，正在推动多个细分领域进入新一轮技术革新周期。在此情况下，TrendForce预估GaN功率器件市场规模将从2024年的3.9亿美金攀升至2030年的35.1亿美金，年复合增长率达...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 06 日 14:12 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]

晶升股份推出SCML320A碳化硅外延炉

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 06 日 14:05 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

8月5日，晶升股份官微宣布成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。 图片来源：晶升股份 据了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延炉生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，指标达到国际先进水平。此外，还支持N/P两种掺杂类型，可以满足不...  [详内文]

方正微电子、安世半导体发布最新碳化硅新品

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 06 日 13:42 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近期，碳化硅（SiC）技术领域迎来了一系列重要新品发布，其中安世半导体（Nexperia）以及方正微电子均推出了各自的新产品。 方正微电子：高性能碳化硅 MOS 功率模块发布 近日，深圳市重大产业投资集团有限公司旗下的深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）正式推出了一款...  [详内文]