12月29日,扬杰科技公开“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”、“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”、“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”等多项碳化硅(SiC)器件相关专利,申请日期均为2023年10月27日。
“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”专利
天眼查资料显示...  [详内文]
扬杰科技取得多项SiC器件相关专利 |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 01 月 02 日 17:50 | 分类 企业 |
