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扭亏、放量、净利翻倍：碳化硅赛道半年报透露三个关键信号
作者 |发布日期 2026 年 08 月 20 日 15:02 | 分类 企业
2026年上半年，碳化硅衬底与功率半导体领域多家A股上市公司相继披露半年报。在新能源汽车高压平台加速渗透、AI算力基础设施持续扩建的产业背景下，各家企业表现各有亮点，碳化硅衬底大尺寸化、车规级产品放量、第三代半导体研发推进等趋势持续深化。 01、天岳先进：8英寸衬底收入占比超50...  [详内文]

听百家言、观行业风！答案尽在 CSEAC 同期论坛中
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 17:50 | 分类 展会
2026年8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）将在无锡太湖国际博览中心开幕。由中国电子专用设备工业协会主办的第十四届(2026)中国电子专用设备工业协会半导体设备年会也将同期同地召开。 CSEAC 2026 规模新高：7万平方米，联动...  [详内文]

光通信巨头启动300mm碳化硅衬底送样
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:07 | 分类 碳化硅SiC
当地时间8月17日，光通信巨头Coherent宣布已开始向AI半导体领域的合作伙伴交付300mm高导热碳化硅衬底样品。这一进展标志着该公司可扩展材料平台正式从内部研发阶段进入客户验证环节。 随着AI处理器向更高功率密度演进，散热问题正成为制约系统性能、可靠性和数据中心效率的主要瓶...  [详内文]

银河微电携手复旦发布三款1200V SiC MOSFET，车规级产品已具备量产能力
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，常州银河世纪微电子股份有限公司与复旦大学联合举办SiC MOSFET新品发布会，正式推出三款1200V碳化硅功率器件。此次发布的产品基于双方近三年的产学研合作，围绕SiC器件封装设计、核心工艺、性能优化及可靠性验证等环节开展系统性研发，目前已有部分产品具备量产条件。 三款新...  [详内文]

突破散热瓶颈，军用氮化镓取得重大进展
作者 |发布日期 2026 年 08 月 18 日 14:58 | 分类 氮化镓GaN
8月12日，英国军工巨头BAE系统公司官宣，旗下FAST实验室顺利完成美国DARPA THREADS器件级电子散热项目第一阶段研发，顺利获批二期经费，正式启动下一阶段技术攻关，聚焦解决军用氮化镓（GaN）射频器件的散热瓶颈问题。 BAE系统是全球顶尖国防电子与航空航天龙头，长期承...  [详内文]

总投资14亿元，这一金刚石项目进入环评公示阶段
作者 |发布日期 2026 年 08 月 18 日 14:55 | 分类 企业 , 化合物半导体
8月11日，郑州市生态环境局高新分局对外发布项目拟审批公示，中科粉研（河南）超硬材料有限公司金刚石功能材料制造项目环评文件进入公示环节，项目落地郑州高新技术产业开发区，建成之后可实现年产4万片4英寸金刚石散热片、60吨微纳米球形金刚石粉体的生产规模。 中科粉研主打金刚石第四代半导...  [详内文]

“十五五”首个氧化镓大额融资落地，国家队押注第四代半导体
作者 |发布日期 2026 年 08 月 18 日 14:52 | 分类 企业 , 氧化镓
近日，第四代半导体氧化镓材料企业杭州富加镓业科技有限公司宣布完成新一轮过亿元融资。本轮由衢州东峰、上海科创、富阳产投、源创基金联合投资，老股东中网投及中科神光持续追加。这是公司继2025年9月完成深创投、中网投等机构亿元融资后的又一轮资本动作，也是“十五五”开局以来国内氧化镓材料...  [详内文]

优镓科技完成B轮融资，氮化镓芯片加速推进
作者 |发布日期 2026 年 08 月 17 日 14:40 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近日，优镓科技（北京）有限公司宣布完成B轮融资，投资方为荷塘创投与领军创投。本轮资金将重点投入高性能射频氮化镓功率放大器芯片的研发迭代与市场推广。 优镓科技成立于2019年10月，专注于射频芯片领域，提供氮化镓功放芯片、模块及系统级解决方案。其面向5G基站Massive MIMO...  [详内文]

11亿项目落户张家港，瞄准碳化硅陶瓷零部件赛道
作者 |发布日期 2026 年 08 月 17 日 14:38 | 分类 碳化硅SiC
近日，总投资额11亿元的山青半导体先进材料及关键零部件制造基地项目完成签约，项目正式落户张家港市高新区（塘桥镇），瞄准第三代半导体上游陶瓷材料、精密零部件赛道进行产能建设。 项目由苏州山青半导体科技有限公司投资实施，生产方向锁定高纯碳化硅、氮化铝陶瓷材料与先进增材制造零部件。基地...  [详内文]