最新文章

爱思强2022年营收约34亿，GaN/SiC设备收入占比最高
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 17:19 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
在2022年大环境不利的情况下，海内外大多数厂商业绩表现不佳，但设备厂商中逆势成长的例子却不少，比如国内MOCVD设备厂中微公司，其在去年实现营收与净利润双增长，新签订单金额约为63.2亿元，同比增长约53.0%。 国际MOCVD设备厂商爱思强（AIXTRON SE）昨日也公布了...  [详内文]

深圳市2023年重大项目计划公布，涉及第三代半导体
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 17:18 | 分类 碳化硅SiC
近日，深圳市发展和改革委员会公布《深圳市2023年重大项目计划》。项目清单显示，今年深圳市重大项目计划共安排项目841个，总投资约3.6万亿元，年度计划投资2813.5亿元。 半导体项目中有华润微深圳12英寸集成电路生产线建设项目、方正微第三代半导体产业化基地建设项目、中芯国际1...  [详内文]

华芯邦5.3亿元的碳化硅芯片项目落户山东聊城
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 16:33 | 分类 碳化硅SiC
据聊城高新区官方消息，2月28日，在2023聊城（深圳）粤港澳大湾区重点招商项目签约仪式上，深圳市华芯邦科技有限公司（以下简称：华芯邦）投资5.3亿元的碳化硅芯片封装项目成功签约并落户高新区。 图片来源：聊城高新区 根据公开资料，华芯邦成立于2008年，成立至今一直专注于模拟芯...  [详内文]

从天岳先进财报看碳化硅衬底为何赚钱难
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 16:30 | 分类 碳化硅SiC
2022年1月12日，天岳先进正式在科创板上市。 彼时，顶着“碳化硅衬底第一股”的头衔，天岳先进被奉为第三代半导体“全村的希望”，其在上市后首份年报扭亏为盈，并成功摘“U”，更令人倍觉前途光明。 然而，来到2023年，其公布的2022年业绩，却令人疑惑。 1.75亿！天岳先进20...  [详内文]

瞻芯电子完成数亿元B轮融资
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 9:01 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，上海瞻芯电子科技有限公司（以下简称“瞻芯电子”）完成数亿元B轮融资，本轮融资由国方创新领投，国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本等众多机构跟投，老股东临芯投资、光速中国、广发信德持续追加。 2022年12月 ，瞻芯电子刚刚完成了数亿元Pre-B轮融资。由上...  [详内文]

林众电子IGBT及碳化硅功率模块项目奠基
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 9:00 | 分类 碳化硅SiC
2月26日，上海林众电子科技有限公司智能质造中心项目基地开工仪式举行。建成后将为林众电子新增2000万只IGBT及碳化硅功率半导体模块的年生产能力，达产后年产值将超30亿元，成为业内领先的功率半导体智能制造基地。 据了解，项目位于上海市松江区，土建投资3.6亿元，含设备总投资预计...  [详内文]

国内第一，这颗6英寸氧化镓单晶击碎“卡脖子”
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分类 氮化镓GaN
昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶 氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O...  [详内文]

纳微2022全年营收2.64亿，GaN和SiC业务并进！
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:22 | 分类 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2月23日，纳微半导体公布了2022年Q4及全年财报，回顾了2022年的“高光时刻”，并表达了对2023年业务规模持续扩张、业绩强劲增长的憧憬。 2022年业绩回顾 2022年，纳微实现营收3790万美元（约合人民币2.64亿元），同比增长60%；其中，Q4实现营收1230万美元...  [详内文]

近60家芯片企业融资完成，透露什么？
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:19 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2023年已过去快两个月，全球半导体市场从消沉走向复苏仍然还有一段距离，不过细分领域的逆势增长有望给投资市场或半导体企业打入一剂强心针。 据全球半导体观察不完全统计，近期共有57家半导体企业完成阶段融资，这些企业涉及第三代半导体、车规级芯片、毫米波雷达芯片、传感器等领域。据披露的...  [详内文]

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分类 氮化镓GaN
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [详内文]