拟向吉莱微电子增资2.2亿，综艺股份进军功率半导体迎新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 14 日 13:55 | 分类 企业 , 功率 | edit

近期，综艺股份披露重大资产购买报告书（草案），公司拟向江苏吉莱微电子股份有限公司（简称“吉莱微电子”）增资2.2亿元人民币，取得吉莱微电子4323.3494万股股份，占其增资后总股本的45.28%；同时吉莱微电子原实际控制人之一李大威同意将其直接持有的吉莱微电子828.71万股股...  [详内文]

这个大厂磷化铟（InP）衬底产能将提高约20%！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:54 | 分类 磷化铟 | edit

近期，媒体报道JX先进金属公司拟投资约15亿日元（约合1020万美元），将其位于日本茨城县北茨城市的矶原工厂的磷化铟（InP）衬底产能提高约20%。 该公司预计未来InP衬底的需求将持续走高，也正在考虑根据需要灵活地进行进一步投资。 早在2019年，JX先进金属公司便已将其重点业...  [详内文]

又一氮化镓厂商获亿元融资，为小米、联想供货！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:51 | 分类 产业 | edit

据“科创板日报”报道，近日珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）完成亿元级B++轮融资，由北海山旁边独家投资。 镓未来的本轮融资资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。 镓未来成立于2020年，总部位于广东珠海，公司聚焦第三代半导体硅基氮化镓（GaN...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:09 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

全球首款！超宽带宽氮化硼光子忆阻器问世

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 12 日 13:52 | 分类 化合物半导体 | edit

近日，国际顶级学术期刊《自然・纳米技术》（Nature Nanotechnology）发表了一项最新研究成果——超宽带氮化硼光子忆阻器问世。该研究由阿卜杜拉国王科技大学张西祥教授领衔的国际团队共同完成，为 “感知-存储-计算一体化” 的人工智能视觉系统发展带来了重大突破。 图片...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 12 日 13:49 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

天岳先进大力扩产，港股募约17.64亿元！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 12 日 13:38 | 分类 企业 | edit

8月11日，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）正式开启港股招股，计划全球发售4774.57万股H股，其中香港发售占5%，国际发售占95%，发售价将不高于42.8港元。此次IPO引入了国能环保、未来资产证券、山金资产、和而泰等5名基石投资者，合计认购约7.4亿港元...  [详内文]

总投资6.3亿，第三代等先进半导体项目（二期）通过竣工验收！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 17:14 | 分类 半导体产业 | edit

近日，据北京顺义最新消息，顺义区第三代等先进半导体产业标准化厂房项目（二期）顺利通过竣工验收。该项目位于顺义新城3401街区，由科创集团投资建设，总投资额达到6.3亿元人民币。 项目占地面积4万平方米，总建筑面积6.47万平方米，其中地上建筑面积53708.03平方米，地下建筑面...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 17:05 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:52 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]