韩国DB HiTek(东部高科)公司近期宣布,其基于8英寸晶圆的1200V SiC MOSFET可靠性验证已经完成,相关代工平台已具备从设计导入到量产衔接的条件,并将量产目标放在2027年。
与硅功率器件相比,SiC MOSFET更适合高温、高压场景,因而在电动汽车、光伏与风电、...  [详内文]
这家厂商进军8英寸碳化硅代工 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 09 月 11 日 15:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |
