湖南这家碳化硅设备厂商，1900℃高温炼出“芯”材料

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:28 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近日媒体报道，在湖南艾科威半导体装备有限公司（以下简称“艾科威”）里，一台制作半导体材料的碳化硅（SiC）高温激活炉正在装车，准备发往外地某芯片公司。 艾科威研发总监尹昊介绍，碳化硅高温激活炉，通过在高温环境下对碳化硅材料进行表面改性处理，实现晶圆表面石墨层的制备，主要应用于碳化...  [详内文]

超过碳化硅！新型氮化镓晶体管已突破800℃高温

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:27 | 分类 氮化镓GaN | edit

近日，由宾夕法尼亚州立大学电气工程教授Rongming Chu领导的研究团队，设计出了一种可在800 ℃下工作的氮化镓晶体管——足以熔化食盐的高温。这项技术突破不仅挑战了现有半导体材料的物理极限，更可能重塑极端环境下电子设备的设计逻辑。 传统硅基晶体管因带隙较窄（1.12eV），...  [详内文]

11.2亿，这家辽宁碳化硅企业正式被收购！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:21 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

8月13日，正帆科技宣布以11.2亿元现金收购辽宁汉京半导体材料有限公司62.23%的股权，此次交易完成后，汉京半导体将成为正帆科技的控股子公司。 图片来源：正帆科技公告 此次收购的定价基于#汉京半导体 100%股权估值18亿元，资金来源包括#正帆科技 自有资金及银行贷款。支付...  [详内文]

国内首套！全国产碳化硅器件双向超充桩面世

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 14 日 14:06 | 分类 碳化硅SiC | edit

据“南方电网报”报道，近日由广东电网公司佛山供电局生产指挥中心技术团队研发的全国首套“基于全国产化碳化硅器件的360千瓦/800伏特双向超充桩”通过新产品技术鉴定。 据介绍，该成果实现了三大突破：全国产化替代、充电效率跃升至98%、充电速度高达“5分钟续航200公里”，填补了国产...  [详内文]

英飞凌发布2025财年第三季度财报

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 14 日 14:00 | 分类 企业 | edit

近日，英飞凌今日公布了其2025财年第三季度的业绩，并对全年进行了最新展望。 根据财报数据，英飞凌第三季度（截至2025年6月30日）营收达到37.04亿欧元，环比增长3%，略高于市场预期。在盈利能力方面，公司当季部门利润为6.68亿欧元，部门利润率达到18.0%，较上一季度的1...  [详内文]

拟向吉莱微电子增资2.2亿，综艺股份进军功率半导体迎新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 14 日 13:55 | 分类 企业 , 功率 | edit

近期，综艺股份披露重大资产购买报告书（草案），公司拟向江苏吉莱微电子股份有限公司（简称“吉莱微电子”）增资2.2亿元人民币，取得吉莱微电子4323.3494万股股份，占其增资后总股本的45.28%；同时吉莱微电子原实际控制人之一李大威同意将其直接持有的吉莱微电子828.71万股股...  [详内文]

这个大厂磷化铟（InP）衬底产能将提高约20%！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:54 | 分类 磷化铟 | edit

近期，媒体报道JX先进金属公司拟投资约15亿日元（约合1020万美元），将其位于日本茨城县北茨城市的矶原工厂的磷化铟（InP）衬底产能提高约20%。 该公司预计未来InP衬底的需求将持续走高，也正在考虑根据需要灵活地进行进一步投资。 早在2019年，JX先进金属公司便已将其重点业...  [详内文]

又一氮化镓厂商获亿元融资，为小米、联想供货！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:51 | 分类 产业 | edit

据“科创板日报”报道，近日珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）完成亿元级B++轮融资，由北海山旁边独家投资。 镓未来的本轮融资资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。 镓未来成立于2020年，总部位于广东珠海，公司聚焦第三代半导体硅基氮化镓（GaN...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:09 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

全球首款！超宽带宽氮化硼光子忆阻器问世

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 12 日 13:52 | 分类 化合物半导体 | edit

近日，国际顶级学术期刊《自然・纳米技术》（Nature Nanotechnology）发表了一项最新研究成果——超宽带氮化硼光子忆阻器问世。该研究由阿卜杜拉国王科技大学张西祥教授领衔的国际团队共同完成，为 “感知-存储-计算一体化” 的人工智能视觉系统发展带来了重大突破。 图片...  [详内文]