文章分类： 功率

英飞凌官宣，首批8英寸SiC产品问世

作者 | 发布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:45 |
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| 分类: 产业 , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。 这一举措标志着英飞凌在碳化硅技术应用上迈出了重要一步，有望进一步提升相关领域的能...  [详内文]

晶导微电子功率半导体（IDM）内江基地项目开工

作者 | 发布日期: 2025 年 02 月 17 日 10:32 |
关键字: ,
| 分类: 功率
据最内江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大项目现场推进活动内江分会场活动在晶导微电子功率半导体（IDM）内江基地项目开工现场举行。 据介绍，电子功率半导体内江基地建设项目位于内江高新区白马园区，由山东晶导微电子股份有限公司投资建设，分两期实施。 其中，一期项目将建设包...  [详内文]

氧化镓（Ga₂O₃）：新兴材料的无限潜力

作者 | 发布日期: 2025 年 01 月 31 日 17:59 |
关键字: ,
| 分类: 功率
随着半导体技术的飞速发展，宽禁带半导体材料逐渐成为未来技术的关键，而氧化镓（Ga₂O₃）正是其中的佼佼者。凭借其优异的特性，氧化镓正在改变功率电子器件和光电探测领域的格局。 氧化镓的定义氧化镓（Gallium Oxide，Ga₂O₃）是一种化学式为 Ga₂O₃ 的无机化合物，是镓...  [详内文]

中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 发布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
关键字: ,
| 分类: 功率
1月21日，中科院微电子研究所发布消息称，我国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功。该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，成功研制出首款国产高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其电源系统。 这一突破标志着我国在半导体功率器件领域迈向新高度。...  [详内文]

2025开年，一批碳化硅项目刷新进度

作者 | 发布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
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| 分类: 功率
2025开年，碳化硅产业仍然热闹，众多亿元级别的项目在各地纷纷取得重大进展。 项目投资规模涵盖范围广，建设内容丰富多样，应用领域主要集中在半导体及相关产业，从材料生产到设备制造，再到全产业园区的建设，碳化硅产业正在形成一条具有高效协同效应的产业链。 这些项目的推进反映出碳化硅产业...  [详内文]

投资3.45亿美元，MACOM扩建氮化镓晶圆厂

作者 | 发布日期: 2025 年 01 月 17 日 18:48 |
关键字: ,
| 分类: 功率
1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆制造工厂进行全面升级。 具体来看，公司马萨诸塞州工厂将扩建洁净室，升级现有4英寸晶圆（涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料）生产线，并引入...  [详内文]

机器人，氮化镓下一个风口？

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
关键字: , ,
| 分类: 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点，以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力，这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前，功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境，并正在逐步向各类应用...  [详内文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工艺平台

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 18 日 16:47 |
关键字: ,
| 分类: 功率
12月17日，碳化硅（SiC）晶圆代工厂商X-fab推出了新一代XbloX平台XSICM03。该平台可推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用，并显著降低单元间距，从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆芯片数量并改善导通电阻。 source：X-fab X-fab介绍，Xb...  [详内文]