文章分类： 碳化硅SiC

总投资18亿，6个第三代半导体项目签约北京

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:27 |
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| 分类: 碳化硅SiC
昨日，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛举办。现场，国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片等6个签约落地，预计总投资近18亿元。 据报道，顺义区规划建设总面积约20万平米的三代半标厂，目前一期...  [详内文]

全球InP产业发展现状浅析

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
作为化合物半导体材料，InP（磷化铟）半导体元件具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，在光通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、航天等领域具有广阔的应用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射频元件，其在光子领域具...  [详内文]

三菱电机与Coherent达成合作，SiC产能之争加速

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:24 |
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| 分类: 碳化硅SiC
5月26日，三菱电机官网宣布已与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。在未来Coherent将为三菱电机在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底，以满足新能源汽车对SiC的需求。 随着新能源汽车需求量的提升...  [详内文]

又一SiC企业获投资

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:29 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，南通罡丰科技有限公司（罡丰科技）完成融资，投资方为钧石基金和达泰资本。融资金额尚未公开披露。 图片来源：拍信网正版图库 据悉，罡丰科技由中科院“百人计划”专家奚衍罡博士创办，成立于2019年，是一家专注于SiC材料、设备、衬底和外延的研发和制造的高新技术企业。致力于打通从...  [详内文]

斯达半导体签约重庆，加速SiC产业布局

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:27 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，在中国西部国际投资贸易洽谈会上，斯达半导体重庆车规级模块生产基地作为重点项目签约，未来斯达半导体将在重庆科学城投资建设车规级模块生产基地，实现主控制器用大功率车规级IGBT模块、车规级碳化硅MOSFET模块研发、生产和销售。 近两年来，受到新能源产业的推动，斯达半导体作为国...  [详内文]

1.5万片/月！三安光电公布碳化硅最新产能进展

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 26 日 16:32 |
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| 分类: 碳化硅SiC
在新能源汽车市场规模急剧上涨的当下，产能的扩充成为碳化硅领域各大厂商努力的方向，国内外企业纷纷投入到上游衬底及外延片、中游晶圆制造、下游模块封装等领域。 值得一提的是，碳化硅产业素有“得衬底者得天下”的说法，因此，碳化硅衬底产能的扩充成为这场竞争中难以忽视的一环。目前，碳化硅衬底...  [详内文]

【会议预告】烁科晶体：SiC单晶生长技术浅析及应用展望

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 25 日 17:32 |
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| 分类: 碳化硅SiC
SiC属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。 SiC单晶的制备一直是全球性技术难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。 如今，烁科晶体已建立起完整的SiC晶片生产线，突破晶体生长、...  [详内文]

国投创业领投，化讯半导体获融资

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 25 日 17:31 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，国投创业宣布领投深圳市化讯半导体材料有限公司（以下简称“化讯半导体”）。 化讯半导体成立于2016年，是一家专注于先进电子材料研发和销售的企业，重点针对集成电路先进封装、化合物半导体、新型显示等领域，提供系统解决方案及关键材料。 国投创业消息显示，化讯半导体自主研发的紫外激...  [详内文]

又拿下关键一环，国产SiC设备加速崛起

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 25 日 17:30 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，德龙激光在投资者互动平台回复投资者表示，公司已完成SiC晶锭切片技术的工艺研发和测试验证，并取得了头部客户批量订单，这条回复的背后意味着国产碳化硅产业链又在一关键领域取得占位。 Source：拍信网 01、改善SiC良率的关键技术 由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶锭切割...  [详内文]

多应用驱动！SiC、GaN等第三代半导体未来可期

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而，现实与理想之间尚有较大差距，我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。 为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]