Tag Archives: 致能科技

首个1700V GaN HEMT器件发布
作者 |发布日期 2024 年 01 月 24 日 17:17 | 分类 功率
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs...  [详内文]

致能科技首发1200V D-Mode氮化镓器件平台
作者 |发布日期 2023 年 11 月 09 日 17:35 | 分类 企业
11月8日，广东致能科技有限公司首发1200V 耗尽型（D-Mode）高可靠性氮化镓（GaN）器件平台。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可用于工业、新能源、汽车等领域。 资料显示，致能科技成立于2018年12月，公司总部位于广州，在徐州、深圳、上海等...  [详内文]