相关资讯：碳化硅

捷捷微电/三安光电披露，碳化硅取得新进展
作者 |发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分类 碳化硅SiC
近日，捷捷微电和三安光电在碳化硅领域的最新研发进展引发了行业关注。捷捷微电与中科院微电子研究所等合作研发碳化硅器件，目前处于小批量封测阶段；三安光电热沉散热用碳化硅材料研发进入送样阶段，其8英寸衬底准量产产品已进入主流新能源汽车企业供应链。 捷捷微电：携手科研机构，推进碳化硅器件...  [详内文]

AI、机器人、氮化镓等浪潮来袭，英飞凌四大新品亮剑
作者 |发布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飞凌在2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025，以下同）上，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了深度探讨，其首次在国内展示了英飞凌的两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，引起行业诸多关注。 英飞凌...  [详内文]

注册资本20亿，度亘核芯上海成立新公司！
作者 |发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司（以下简称“度亘核芯”）在上海成立新公司——度亘核芯光电技术（上海）有限公司，注册资本高达20亿元人民币。 据悉，新公司专注光通信设备制造、集成电路芯片及产品制造、光电子器件制造、半导体分立器件制造、电子元器件制造、电子专用材料制造和研发...  [详内文]

安世半导体推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分类 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧...  [详内文]

意法半导体与重庆邮电大学战略合作
作者 |发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分类 碳化硅SiC
近日，意法半导体与重庆邮电大学在重庆安意法半导体碳化硅晶圆厂通线仪式后的“碳化硅产业发展论坛”上正式签署产学研战略合作协议。 双方将在以下三方面展开产学研资源深度融合： 共建创新平台：意法半导体在智能功率技术、宽禁带带隙半导体、汽车芯片、边缘人工智能、传感以及数字和混合信号技术等...  [详内文]

芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。 该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，...  [详内文]

芯联集成获联合电子“卓越技术创新奖”
作者 |发布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分类 碳化硅SiC
近日，联合电子2025年供应商大会隆重举行，芯联集成作为联合电子的重要供应链合作伙伴出席此次大会。会上，芯联集成控股子公司芯联动力，凭借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技术产品供应，荣获“2024年度供应商卓越技术创新奖”。 作为一家半导体产业界的创新科技公司，芯联集成致力于...  [详内文]

欧洲九国联盟，第三代半导体划重点
作者 |发布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，德国、荷兰、法国、比利时、芬兰、意大利、奥地利、波兰和西班牙九个国家正式签署协议，组建“半导体联盟”（Semicon Coalition），旨在通过协同合作提升芯片自给能力，并强化自身在全球半导体版图的地位。 上述联盟主攻技术主权、供应链韧性与创新竞争力三大核心方向，将重点...  [详内文]

两条8英寸产线新进展：涉及碳化硅、氮化镓
作者 |发布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅产线之后，香港再传出两条第三代半导体产线进展。 近期，明报新闻网报道，香港微电子研发院（MRDI）正在设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，预计在今年内完成安装及调试。 2024年5月，香港立法会批准28.4亿港元设立香港微电子研发...  [详内文]

天域半导体等企业参加，碳化硅（CVD）领域团体标准启动会召开
作者 |发布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分类 企业
近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《碳化硅外延片制备技术规范化学气相沉积法（CVD）》团体标准启动会顺利召开。 包括广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深...  [详内文]