10月11日，上海召开市政府新闻发布会，介绍最新出台的《关于加快推动前沿技术创新与未来产业培育的若干措施》。
发布会上，上海市科委副主任屈炜透露，上海围绕未来制造、未来信息、未来材料、未来能源、未来空间、未来健康六大方向，分近、中、远三个层次，合理规划、分层推进、精准培育。其中包括加快培育硅光、6G、第四代半导体、类脑智能等领域，重点支持优化产品设计、拓展应用场景、验证市场价值。
第四代半导体是继第一代硅（Si）、锗（Ge），第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），第三代碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）之后的新型半导体材料体系。主要包括氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等超宽禁带半导体材料，以及锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）等超窄禁带半导体材料。
此前5月，上海在临港新片区宣布建设上海超宽禁带半导体未来产业集聚区，同时，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室正式揭牌，临港新片区发布了十条支持宽禁带与超宽禁带半导体产业发展的政策，超宽禁带半导体概念验证中心、集成电路材料概念验证中心也启动建设，宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵正式发布，超宽禁带半导体创新发展联盟也发起成立。
（集邦化合物半导体整理）
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