10月13日，剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下简称“CGD”）宣布，与全球领先的半导体制造商GlobalFoundries（格芯）达成重要制造合作。
此次合作将大幅增强CGD的供应链能力，利用格芯成熟的8英寸晶圆制程，扩大其独有的ICeGaN®单晶片功率器件的全球供应规模，以满足电动汽车、数据中心和消费电子等高增长市场对高效能、高可靠性GaN解决方案的迫切需求。
图片来源：CGD公告截图
合作焦点：巩固Fabless战略，加速规模化生产
此次CGD与GlobalFoundries的合作，是CGD迈向全球规模化生产的关键一步。通过与GF合作，CGD将能够确保其核心ICeGaN®产品的制造能力和供应链稳定，这对于一家快速扩张的公司至关重要。
CGD首席运营官SimonStacey表示，此次合作将利用GF卓越的代工服务和对GaN技术的投入，能够将CGD的设计流程与GF的制程设计套件（PDK）相结合，大幅加快下一代GaN功率器件的开发和上市速度。双方将利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圆代工平台，以具备竞争力的成本加速CGD单晶片GaN技术的量产。
公开资料显示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年创立，其技术根植于剑桥大学高压微电子和传感器研究组（HVMS）。公司的核心竞争力在于其ICeGaN®增强型氮化镓 (HEMT) 技术，它彻底改变了GaN器件的设计方式。
ICeGaN®最显著的特点是采用了独特的单晶片集成架构。它在同一GaN晶片上集成了GaN开关、智能介面和保护电路，与市面上大多数采用多晶片或共封装的解决方案形成了鲜明对比。这种单晶片设计带来了前所未有的易用性和高可靠性。
首先，ICeGaN®能够像标准矽MOSFET一样，直接由常用的矽MOSFET驱动器驱动，显著简化了客户的设计流程，消除了使用复杂驱动电路的需求。其次，集成的保护电路提升了器件的抗杂讯能力和过压耐受性，确保了卓越的栅极可靠性。这种整合不仅提高了GaN器件的固有优势——高效率和高功率密度，还解决了其在工业应用中的易用性和可靠性挑战。
除了制造端的战略合作，CGD在技术应用方面也积极布局，瞄准高功率市场。公司最近推出了ComboICeGaN™技术，这是一种混合开关解决方案，将智能ICeGaNHEMTIC与IGBT（绝缘栅双极晶体管）集成于同一模块中。该技术旨在为电动汽车逆变器提供一种具成本效益、替代昂贵碳化矽（SiC）的解决方案，是CGD进军高功率汽车应用的关键。
此外，CGD也与工业技术研究院（ITRI）签署了合作备忘录，共同开发先进的高功率密度USB-PD适配器，为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机等应用提供高达140-240W的高效电源解决方案。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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