近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。
三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品,完善碳...  [详内文]
三星电子计划今年生产SiC功率半导体样品 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 03 月 18 日 17:54 | 分类 碳化硅SiC |
