近期，#日本罗姆株式会社 与#三菱电机株式会社 相继推出基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半导体模块，分别聚焦电动汽车与家用电器领域。作为第三代半导体技术的代表，碳化硅凭借耐高压、低损耗等特性，正持续拓展其在新能源与消费电子领域的应用边界。
罗姆开发新型碳化硅半导体
日本半导体制造商罗姆株式会社最新公布了其面向电动汽车（EV）生态体系研发的新一代功率半导体器件。
source：罗姆半导体集团
该产品采用第三代半导体材料碳化硅（SiC）技术，通过创新型电路架构设计，实现了相较传统同类产品50%的能效跃升，为纯电动车型带来充电速度与续航能力的双重突破。
罗姆研发团队在此产品上将之前销售的功率半导体以4~6个一组组合为模块，以便应对车载充电器输出功率为22千瓦级的大型纯电动汽车。并计划推出耐压程度等不同的13种模块，全面覆盖不同类型纯电动车需求。
与单独使用半导体时相比，该产品合计安装面积可减少50%，不仅可以实现轻量化，还有助于延长纯电动汽车的续航里程，同时提高电池的使用效率。
在应用场景方面，罗姆此次开发的新型半导体不仅可用于纯电动汽车的车载充电器，还可应用于充电站。
在生产上，罗姆此次采用跨国制造方式，福冈县和宫崎县的工厂将会完成在基板上形成电路的前工序，其泰国工厂将会进行零件组装的后工序。
此外，对于该新型功率半导体，罗姆计划当前力争月产10万个，并将年销售额目标定为100亿日元。
三菱电机推出全碳化硅和混合碳化硅IPM模块SLIMDIP
4月22日，日本三菱电机株式会社开始提供用于室内空调和其它家用电器的两款新型SLIMDIP系列功率半导体模块的样品：全碳化硅型号PSF15SG1G6与混合碳化硅型号PSH15SG1G6。并计划于5月6日至8日在德国纽伦堡举行的2025年PCIM博览会和会议上展出，同时也将在日本、中国和其它国家举办贸易展览。
source：三菱电机半导体
这两款模块作为三菱电机SLIMDIP系列紧凑型端子优化模块中的第一款 SiC版本，具有出色的输出和功率损耗降低优势，可以在小容量到大容量电器中实现节能。
三菱电机新开发的SiC MOSFET芯片被集成到两种新的SLIMDIP封装中，通过优化封装设计实现高输出与低功耗。与硅基组件相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可适用于各类容量家电节能场景。
三菱电机在碳化硅领域积累深厚：2010年首次将SiC功率模块应用于空调；2011年开发的1200A/1700V混合SiC模块已用于地铁逆变系统；2013年实现3.3kV全SiC模块商业化；2016年推出搭载SiC-MOSFET的超小型DIPIPM模块。此次新品进一步丰富了SLIMDIP系列的技术矩阵，为家电能效升级提供更多选择。（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）