在新能源汽车产业加速奔向“电动化+智能化”的浪潮中，碳化硅（SiC）功率器件正不断重塑产业格局。作为第三代半导体材料的代表，碳化硅凭借耐高压、耐高温、低损耗等特性，成为电动汽车主驱逆变器、充电桩等核心部件的“理想搭档”。
随着技术突破与产业链成熟，车规级碳化硅市场已从概念验证迈入规模化落地阶段，全球车企与半导体大厂正展开激烈角逐。近期，安世半导体传出新进展。
近期，安世半导体宣布推出D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET，这些器件此前已推出工业级版本，现正式获得AEC-Q101认证，可应用于电动汽车(EV)的车载充电器(OBC)、牵引逆变器，以及DC-DC转换器、暖通空调系统(HVAC)等领域。
source：安世半导体
安世半导体介绍，RDS(on)会影响导通损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。然而，随着器件工作温度上升，标称值可能会增加100%以上，从而导致相当大的导通损耗。
与通孔技术相比，采用SMD封装技术时，温度稳定性显得尤为重要，因为器件需通过PCB散热。安世半导体认为这是制约当前众多SiC器件性能的关键因素，凭借创新工艺技术，确保新型SiC MOSFET具备行业领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度区间内，RDS(on)标称值仅增加38%。
上述车规级碳化硅(SiC) MOSFET系列产品，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。此外，安世半导体还计划2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的车规级SiC MOSFET。（集邦化合物半导体 Flora 整理）