根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球2025 SiC Power Device市场分析》报告指出，凭借晶圆技术升级和产能迅速扩张，SiC功率器件将逐步在高压应用场景（≥900V）确立领导地位，2030年整体市场规模有望成长至164亿美元。同时，在核心电动汽车市场增长放缓和SiC成本快速下降的背景下，SiC功率器件正在加速向工业市场渗透。
对于上游SiC衬底市场，目前仍然面临着需求疲软和供给过剩的双重压力，但长期成长趋势依旧不变。另外，由于现行主流的6英寸SiC衬底价格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技术难度较高，加上市场环境剧烈变化，预计6英寸衬底将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC成本的必然选择，且有助SiC芯片技术升级，预估出货份额至2030年有望突破20%。
目前SiC MOSFET技术逐步由平面型转向沟槽型，Infineon亦在今年推出了超结技术，助力SiC走向更为严苛的应用场景。市场环境方面，由于关键的汽车市场短期承压，各大公司已陆续启动成本削减战略，从而推动市场整合，例如onsemi收购了Qorvo的SiC JFET技术。另外，中国厂商的迅速崛起，以及本土车企对于SiC产业的全力扶持，进一步促使产业格局生变，Renesas亦因此宣布终止SiC生产计划。
长期来看，SiC在电动汽车的渗透率仍然将稳步上升，同时AI数据中心等工业应用和其他高功率应用的拓展，亦将持续推动SiC市场规模不断扩大，因此前景乐观。
目前SiC产业正经历技术突破与产能扩张的阵痛期，市场竞争加剧，未来的发展方向在于持续优化制造工艺，提升产品性能、可靠性并降低生产成本，来不断拓展更多工业应用，并加速在电动汽车市场的渗透。
TrendForce集邦咨询针对全球SiC功率半导体产业链上下游环节进行全方面剖析，并着重于中国市场的持续跟踪，如需详细资料，欢迎与我们取得联系。
（集邦化合物半导体 Rany 整理）
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