9月12日，日本化学材料大厂Resonac在其山形县东根市的工厂内，举行了全新的碳化硅（SiC）外延片生产大楼 竣工仪式。这座建筑面积达5832平方米的新设施是Resonac投资309亿日元（约15.01亿人民币）升级旗下4个SiC工厂的重点项目之一。
图片来源：Resonac
该厂房将专注于生产8英寸（200mm）SiC外延片，旨在通过更大尺寸的晶圆提高芯片产出量、降低成本，以满足电动汽车、可再生能源及工业设备市场日益增长的需求。根据规划，新设施已于2024年9月动工，并计划于2026年正式投入运营。
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据悉，该项目是日本政府依据《经济安全保障推进法》所认定的关键物资供应保障计划的一部分。早在2023年6月，#Resonac 就已通过政府补助认证，最高可获得约103亿日元（约5亿元人民币）的补助金，用于扩充SiC衬底和外延片的产能。
根据此前的计划，Resonac预计在2027年4月实现SiC衬底的年产能达到11.7万片（折合6英寸计算），并在2027年5月将SiC外延片的年产能提升至28.8万片（折合6英寸计算）。
进入2025年，Resonac的战略布局远不止于产能扩张。
今年9月3日，Resonac宣布，已联合全球半导体供应链中的27家企业，成立了名为“JOINT3”的共创联盟。该联盟将专注于开发面板级有机中介层技术，以应对生成式AI和自动驾驶汽车对高性能半导体封装日益增长的需求。作为联盟领导者，Resonac将在位于茨城县结城市的工厂设立“先进面板级中介层中心（APLIC）”，该中心计划于2026年开始运营。
今年4月22日与横滨国立大学签署了全面合作协议，旨在共同研发下一代半导体材料、推进先进封装技术（如3D封装）以及可持续的制造工艺。此合作将加速其在半导体下游工艺的材料与技术开发。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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