近日，安森美（onsemi）正式宣布，已与全球领先的半导体制造商格芯（GlobalFoundries，GF）签署合作协定。双方将基于格芯先进的200毫米（8英寸）增强型硅基氮化镓（eMode GaN-on-silicon）制程技术，共同开发下一代氮化镓功率元件。
图片来源：安森美公告截图
安森美携手格芯研发下一代氮化镓技术
此次合作首波将推出650V高压元件，预计于2026年上半年提供样品，展现双方在第三代半导体领域的强大研发动能。
在应用布局方面，这项合作开发的650V GaN产品展现了极广的市场覆盖度。在AI资料中心领域，该元件将成为高密度服务器电源及DC-DC 转换器的核心；在电动汽车市场，则可优化车载充电机（OBC）与动力转换系统的效能。此外，该技术亦将延伸至能源基础设施，包括微型光伏逆变器与储能系统，并在工业与航空航天领域为精密电机驱动器提供卓越的热管理解决方案。
随着生成式AI的爆发式成长，全球资料中心对电力密度的需求急剧攀升，传统硅基功率元件已面临效率提升的瓶颈。安森美透过此次合作，将其业界领先的硅基驱动器、控制器与强化散热封装技术，与格芯的650V GaN技术平台结合。
GaN元件具备极高的开关频率与双向导通特性，能有效减少零组件数量并缩小系统尺寸。安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan指出，这些创新将助力客户在AI服务器与航天应用等严苛场景下，构建体积更小、能效更高的功率系统。
安森美SiC/GaN产能扩张与IDM供应链策略
观察两家巨头的近期动态，安森美汽车方案事业部负责人在12月11日的发言中披露，公司正推进SiC衬底与器件端的全面扩产，并已与头部车企签订长期供货协议（LTSA），2025年SiC器件营收占比目标提升至12%—15%，这一增长主要来自800V平台主驱与车载高压系统的需求拉动。
技术层面，安森美基于M3e EliteSiC™技术的最新功率模块可实现低于4nH的杂散电感，配合技术优化实现1.4mΩ的内阻，导通损耗较前几代产品降低30%，关断损耗最多可降低50%，性能优势显著。
在GaN领域，公司正加速车载OBC与数据中心电源应用的落地，结合垂直GaN（vGaN）技术与封装优势，提供700V/1200V高压器件样品，有效解决高频开关与能效瓶颈。
安森美 强调，SiC与GaN的产能规划将与EliteSiC生态系统深度绑定，通过IDM模式保障从衬底到器件的全链可控，实现高可靠交付与成本优化的同步推进。
近期安森美刚宣布与汽车大厂佛维亚海拉（FORVIA HELLA）扩大技术结盟，并获得董事会批准60亿美元的新股票回购计划，展现对 AI 驱动营收成长的强烈信心。
透过此项合作，安森美进一步巩固了其涵盖低压、中压至超高压垂直GaN的全谱系技术领先地位。随着样品计划于2026年上半年释出，双方将加速推动高效能功率元件的量产规模，为全球洁净能源与智慧运算市场提供更强大的技术支撑。
格芯承接台积电GaN工艺与硅光子纯代工转型
格芯则持续强化全球供应链韧性，除了近期宣布投入11亿欧元扩建德国德勒斯登晶圆厂，亦积极在美国本土布局先进制程。格芯首席商务官Mike Hogan表示，透过与安森美的策略合作，双方将在AI与电气化浪潮中，共同建构更具韧性且高效的半导体供应链。
另外，值得注意的是，格芯近期在氮化镓（GaN）领域展现了强大的领跑野心，透过战略收购与技术授权快速扩张版图。今年11月，格芯正式宣布获得#台积电 650V与80V的氮化镓技术授权，此举别具战略意义。由于台积电预计将在2027年淡出GaN代工市场，格芯藉此直接承接了领先的工艺规程，并计划在美国佛蒙特州厂区进行量产，目标是成为美国本土最大的GaN生产基地。
与此同时，格芯也与GaN龙头#纳微半导体（Navitas）达成深度结盟，双方将针对AI资料中心与电网基础设施，共同开发更高功率密度的解决方案。
图片来源：格芯新闻稿截图
在硅光子技术方面，格芯正全力转型为全球最大的硅光子纯代工厂，剑指AI资料中心的核心需求。透过收购新加坡先进微铸造（AMF），格芯显著增强了光通信芯片的制造能力，这类芯片对于AI服务器之间的高速数据传输至关重要。此外，透过与新加坡科技研究局的合作协定，格芯正致力于开发超高速光传输技术，利用光学互联解决目前AI算力集群中电信号传输造成的发热与延迟问题，从根本上降低AI运算的能耗瓶颈。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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