2026年1月16日，天域半导体与青禾晶元半导体科技集团（下文简称“青禾晶元”）正式缔结了战略合作伙伴关系。
图片来源：天域半导体
基于此次合作，双方将整合各自优势资源——天域半导体在碳化硅材料领域的深厚积累，以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的专长，携手推进键合材料（涵盖键合碳化硅（bonded SiC）、绝缘体上硅（SOI）、绝缘体上压电基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC复合散热基板等）的工艺研发与技术革新。
根据合作协议，天域半导体将负责bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料的工艺开发及规模化生产导入工作。青禾晶元则承诺为天域半导体提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等关键设备，并给予相应的技术支持。此次携手，旨在充分发挥双方在各自领域的专长，助力天域半导体在键合材料领域的技术实力再上新台阶，从而稳固并扩大其市场版图。
此次合作，不仅是技术层面的深度融合，更是天域半导体顺应产业发展潮流，进行的一次前瞻性战略布局。近年来，全球半导体行业的竞争焦点正逐步从传统硅材料向碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料转移。新能源汽车、光伏发电、5G通信等产业的蓬勃发展，对高性能功率器件的需求日益增长，而这些器件的核心材料正是碳化硅及其复合基板。天域半导体与青禾晶元的合作，正是对这一行业趋势的精准把握。
键合技术，作为一种将不同材料紧密结合的工艺，正成为推动新一代芯片性能跃升的关键因素。以SOI（绝缘体上硅）为例，其独特的“三明治”结构能有效减少漏电流和寄生电容，使芯片运行更快、更节能、更抗辐射，广泛应用于人工智能、5G通信、汽车电子及航空航天等领域。而POI（绝缘体上压电基板）则在声学和光学器件中发挥着重要作用，如噪声监测、TWS耳机主动降噪、医学成像及高分辨率显示等。
至于Bonded SiC（键合碳化硅），其优势尤为突出：一方面，它能显著提高高质量碳化硅单晶的利用率，一片标准厚度的单晶抛光片可制造出50片以上的键合抛光片；另一方面，它能降低功率器件的导通电阻，优化电学性能。更值得一提的是，键合技术有望成为解决AI芯片散热难题的关键工艺，台积电、英伟达等行业巨头已在此领域展开探索，未来或将催生千万片级的市场需求。天域半导体已在金刚石、GaN、AlN等前沿材料上实现了键合晶片的制备，进一步拓宽了技术应用的边界。
展望未来，天域半导体将继续以技术创新和产业升级为核心驱动力，在保持碳化硅外延片领先优势的同时，积极探索更广泛的材料应用与解决方案。随着与青禾晶元合作的不断深入，天域半导体有望在先进键合材料领域构建起新的技术壁垒，推动整个产业链的升级发展，为中国半导体材料产业的崛起贡献重要力量。
（集邦化合物半导体整理）
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