2月29日，青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称：思锐智能）宣布完成数亿元B轮融资。
本轮融资由上汽集团战略直投、尚颀资本和鼎晖投资联合领投；招商局创投、上海金浦、新鼎资本、创新工场、华控基金、青创投等知名投资者跟投；海松资本、海澳芯科、鑫芯创投、珩创投资、同歌创投等老股东持续加持。
图源：拍信网正版图库
据悉，思锐智能聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案，目前已形成“双主业”布局，产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备，可广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。
其中，离子注入是半导体器件和集成电路生产的关键工艺之一，可大幅度提高集成电路的成品率。我国已经初步实现了低能大束流和中束流离子注入机的研制，但是技术难度最高的高能离子注入机始终被海外企业垄断。
思锐智能于2021年开启离子注入设备的研发攻关，最终于2023年成功研制出国内首台能量达到8MeV（兆电子伏特）的高能离子注入机，该设备可应用于功率器件、IGBT、CMOS图像传感器、5G射频、逻辑芯片等集成电路主要器件的制备，现已成功交付国内头部企业。
原子层沉积方面，思锐智能于2018年完成对ALD技术发源地——芬兰倍耐克公司100%股权的收购工作。2023年7月，思锐智能宣布与英诺赛科签订ALD设备采购协议，思锐智能需为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。
据悉，Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备可支持配置多个ALD工艺模块，兼容热法及等离子体功能，可为应对不断增长的产能和新的应用而进行升级，目前已进入欧洲、北美、日本和中国大陆及台湾地区知名厂商，并实现重复订单。（集邦化合物半导体 Winter整理）
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