目前，PVT生长工艺是国内厂商生长SiC晶体的主流方法，液相法生长技术则处于研究和开发阶段。
关于液相法SiC晶体生长设备，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进，进一步提升晶体的品质与良率。
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近日，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展，已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作。
此前，晶升股份8英寸SiC长晶设备已实现批量出货，其中包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型SiC晶体生长及衬底制备。
得益于在晶体生长设备领域形成丰富的产品序列，能够满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，晶升股份逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商，并在2023年陆续开拓了三安光电、东尼电子、比亚迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客户。
2023年，晶升股份业绩表现良好，实现营收4.06亿元，同比增长82.70%；归母净利润0.71亿元，同比增长105.63%；归母扣非净利润0.42亿元，同比增长86.64%。2023年，晶升股份、北方华创、晶盛机电等多家SiC设备相关厂商实现营收净利双双增长，也在一定程度上显示了SiC设备细分赛道发展前景光明。
此次成功研发出液相法SiC晶体生长设备，晶升股份将进一步扩充其SiC长晶设备产品系列，并有望进一步扩大客户阵营。（集邦化合物半导体Zac整理）
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