聚焦SiC衬底,半导体材料大厂达成2项重要合作

作者 | 发布日期 2024 年 05 月 23 日 18:20 | 分类 企业

近日,半导体材料大厂Soitec与两家企业展开SiC领域合作。

Tokai Carbon将为Soitec供应多晶6 & 8英寸SiC衬底

5月22日,Soitec宣布,公司与碳和石墨产品综合制造商Tokai Carbon已建立战略合作伙伴关系,共同开发和供应专为 Soitec SmartSiC晶圆设计的多晶碳化硅(SiC)衬底。

source:SoitecSoitec指出,SiC是一种颠覆性的化合物半导体,SmartSiC工程衬底通过提供卓越的制造和成本效率以及改善的环境足迹,加速了碳化硅在电动汽车、工业和智能电网应用中的采用。

通过此次合作,Tokai Carbon将向 Soitec 供应 150 mm(6英寸)和 200 mm(8英寸)多晶SiC晶圆,两家公司将利用其先进的研发能力来增强SmartSi生态系统。Tokai Carbon在多晶碳化硅(polySiC)方面的先进技术和制造能力,以及 Soitec对符合 Soitec SmartSiC 的多晶碳化硅粗晶圆规格的使用权相结合,预计将为全球SmartSiC晶圆产量的提升做出战略贡献。

据悉,SmartSiC是基于该公司SmartCut工艺的专有Soitec技术。在该工艺中,高质量单晶(mono-SiC)“供体”晶圆的薄层被分离并粘合到低电阻率多晶(poly-SiC)“柄”晶圆上,由此产生的衬底可提高器件性能和制造良率。该工艺允许对单个供体晶圆进行多次重复使用,从而显著降低成本和相关的二氧化碳排放。

Soitec将为X-FAB提供SmartSiC晶圆

同日,Soitec还宣布已与SiC晶圆代工龙头 X-FAB合作。Soitec将为X-FAB位于美国得克萨斯州拉伯克的工厂提供SmartSiC晶圆 ,用于生产SiC功率器件。

Soitec表示,此次合作是在成功完成评估阶段之后进行的,在评估阶段,SiC功率器件在X-FAB德克萨斯州工厂的150mm(6英寸)  SmartSiC 晶圆上制造。Soitec将通过联合供应链委托模式,为 X-FAB 的客户提供获得 SmartSiC衬底的便捷途径。

在这个快速增长的市场中,Soitec正在其位于格勒诺布尔(法国)附近的伯宁新工厂提高SmartSiC衬底的产量。X-FAB正在增加拉伯克工厂的SiC器件产能。SmartSiC衬底的使用能让X-FAB的客户能够设计出更小的器件,从而通过增加每个晶圆的芯片数量来提高效率。

值得一提的是,Soitec日前公布了2024财年第四季度营收及全年业绩。2024年第四季度收入达到3.37亿欧元,与创纪录的23年第四季度相比,按固定汇率计算下降了2%。2024财年收入为9.78亿欧元,按固定汇率和周长以及报告基准计算均下降了10%,符合预期。2024财年净利润达到1.78亿欧元,利润率为18%。

针对SiC领域,Soitec表示,与前几个季度相比, 公司用于未来几代电动汽车的 SmartSiC技术在24财年第四季度产生的收入贡献进一步增加,但同比略有下降,这是因为 Soitec 在 23 财年同季度公司收到了与意法半导体(STMicroelectronics)合作协议的首期付款。

Soitec表示,公司的SmartSiC路线图在技术、工业、供应和商业等各个方面都进展顺利。今年2月,Soitec公司又获得了第二家客户。Soitec公司专门生产SmartSiC衬底的新工厂预计将于25财年下半年投产。(集邦化合物半导体Morty编译)

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