5月16日，中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。
资料显示，NextGO Epi成立于2025年， 专注于高品质 β-Ga₂O₃ (氧化镓) 外延片的大规模制造，旨在为高功率和光电探测应用提供关键材料。NextGO Epi 是德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）的孵化企业，由周大顺博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同创立。
source：镓仁半导体——图为NextGO Epi 坐落于德国柏林莱布尼茨晶体研究所
镓仁半导体则是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法单晶生长新技术，全球首发8英寸氧化镓单晶衬底，创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业纪录；开发了国内首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备，全面对外销售。
业界指出，氧化镓（Ga₂O₃）是第四代半导体材料，因其超宽禁带、高击穿场强和低成本潜力，正成为电力电子、军事雷达、电动汽车充电等领域的关键材料。
我国在氧化镓领域已形成从材料生长到器件研发的完整产业链，部分技术达国际领先水平，主要氧化镓公司包括北京镓族科技、杭州富加镓业、中电科46所、镓仁半导体等。与此同时，西安电子科技大学、浙江大学等高校也为氧化镓技术突破做出了贡献。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）