12月19日，国内碳化硅（SiC）外延领域领军企业广东天域半导体股份有限公司（下称“天域半导体”）在东莞松山湖生态园新生产基地举行SiC外延产线通线仪式。
图片来源：创新松山湖-图为天域半导体东莞松山湖生态园新生产基地
随着首批生产设备正式启动运行，该基地新增38万片/年SiC外延产能，与松山湖总部42万片/年产能形成“双核驱动”格局，企业总产能一举跃升至80万片/年，远期规划产能将达200万片/年，为国内新能源汽车、光伏储能等高端领域的SiC功率器件国产替代提供核心材料支撑。
作为国内首批实现SiC外延片产业化的企业，#天域半导体 先后在国内率先实现4英寸、6英寸SiC外延片量产，此次通线的新产线聚焦高附加值的6/8英寸车规级SiC外延片。
据企业相关披露，其8英寸SiC外延片已实现量产，2025年前五个月毛利率达49.8%，凭借优异的性能与稳定性，成为企业核心增长引擎。新基地总投资约80亿元，核心供应链国产化率高达99.8%，从设备到原材料的自主可控，大幅降低了生产风险。
通线仪式当日，天域半导体同步举行产业链战略合作签约仪式，上游端与天岳先进、南砂晶圆、天科合达等头部衬底企业，下游端与士兰微、瞻芯电子、芯粤能等器件领军企业，以及中信银行、工商银行等六家金融机构达成深度合作。此次签约构建了“衬底—外延—器件”全链条协同生态，将有效缩短产品研发周期、提升供应链响应效率，推动SiC产业从技术突破向规模化应用加速迈进。
值得关注的是，天域半导体于12月5日正式在香港联合交易所主板挂牌上市。本次IPO以58港元/股的价格发行3007.05万股新股，募资总额17.44亿港元，募集资金将主要用于未来五年内扩充产能、强化研发创新、战略投资及/或收购、拓展全球市场网络及补充营运资金等方向。此次新产线通线是天域半导体上市后的首个重大产能落地项目。
图片来源：东莞市高新技术产业协会
行业分析人士指出，当前全球SiC功率器件市场正处于快速增长期，新能源汽车的电动化、智能化升级带动SiC材料需求激增，而外延片作为SiC器件制造的核心环节，长期存在供给缺口。天域半导体新产线的投产，将有效缓解国内高端SiC外延片的供给紧张局面，加速8英寸大尺寸技术的产业化迭代。
据悉，天域半导体新产线将在未来两年重点推进8英寸产能爬坡，逐步实现产能释放。随着产线的全面达产，规模效应将进一步显现，不仅能降低SiC外延片的单位成本，还将增强企业在全球产业链中的定价能力与供应链安全能力，推动SiC功率器件在新能源汽车、工业电源、光伏储能等领域的大规模普及。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
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