近日，巴克莱银行第23届全球科技年会于美国旧金山落下帷幕，全球半导体产业巨头齐聚一堂，围绕AI算力、半导体技术迭代与产业链重构等核心议题展开深度交流。其中，英飞凌、意法半导体、安森美三家公司集中披露了在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体领域的最新产能规划、技术突破与应用落地进展。
作为新能源汽车、AI数据中心等高端场景的核心支撑器件，第三代半导体凭借高耐压、高频率、低损耗等优势，已成为全球半导体产业竞争的战略高地。此次年会上，三家企业均强调，将持续加大第三代半导体领域的投入，通过产能扩张、技术优化与生态构建，推动SiC/GaN器件的规模化应用与成本下降，助力下游产业绿色低碳转型。
英飞凌：虚拟工厂战略赋能产能爬坡，SiC/GaN协同布局高端市场
英飞凌功率与传感系统事业部高管在12月10日的发言中明确表示，公司SiC产能正按计划持续爬坡，目标是2026年将SiC模块在新能源汽车主驱的渗透率进一步提升。依托新一代CoolSiC™器件的技术优势，通过优化能量与电荷指标，可有效帮助客户降低系统能耗与成本。据介绍，英飞凌最新推出的CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，导通损耗较前代产品降低15%，且具备更高的可靠性，已广泛适配新能源汽车主驱、光伏逆变器等核心场景。
在GaN领域，英飞凌将快充与数据中心电源作为规模化应用的重点方向，通过封装与热管理方案迭代，加速GaN与硅基方案的成本平价。值得关注的是，其300mm GaN晶圆工艺已进入量产准备阶段，预计2025年第四季度向客户交付样品，将有效支撑AI电源与车载OBC的快速扩产需求。
为保障产能协同与交付效率，英飞凌正推进“One Virtual Fab（虚拟工厂）”战略，打通奥地利菲拉赫与马来西亚居林的产能，通过数字技术实现不同基地的技术、流程协同优化。其中，投资50亿欧元的居林第三工厂扩建项目重点聚焦8英寸GaN和SiC晶圆生产，将进一步强化其在“硅+碳化硅+氮化镓”领域的全能竞争优势。
意法半导体：锚定200mm SiC产能扩张，强化本土化供应链布局
意法半导体总裁兼CFO Lorenzo Grandi在12月11日的发言中指出，公司正全力推进200mm SiC产能扩张，这是降低SiC器件成本、满足新能源汽车与光伏逆变器需求增长的核心路径。公司目标通过规模化制造与封装优化，持续提升SiC在主驱逆变器等核心场景的性价比竞争力。
据悉，意法半导体位于意大利阿格拉泰的300mm工厂将成为智能电源旗舰基地，2025—2027年投资重心将集中于SiC制造与封装能力的阶梯式扩产，以确保供应链韧性与交付确定性。
在GaN领域，意法半导体计划复制SiC在汽车市场的成功路径，依托与英诺赛科的8英寸GaN晶圆合作及法国图尔的8英寸产线，加速GaN在快充、服务器电源的规模化落地。
此外，意法半导体与英飞凌在重庆的合资工厂预计于2025年三季度量产8英寸SiC和GaN器件，精准卡位中国电动汽车市场，形成“欧洲设计+中国制造”的产业联盟格局。
安森美：绑定车企长单保障增长，以EliteSiC生态构建全链优势
安森美汽车方案事业部负责人在12月11日的发言中披露，公司正推进SiC衬底与器件端的全面扩产，并已与头部车企签订长期供货协议（LTSA），2025年SiC器件营收占比目标提升至12%—15%，这一增长主要来自800V平台主驱与车载高压系统的需求拉动。
技术层面，安森美基于M3e EliteSiC™技术的最新功率模块可实现低于4nH的杂散电感，配合技术优化实现1.4mΩ的内阻，导通损耗较前几代产品降低30%，关断损耗最多可降低50%，性能优势显著。
图片来源：意法半导体
在GaN领域，公司正加速车载OBC与数据中心电源应用的落地，结合垂直GaN（vGaN）技术与封装优势，提供700V/1200V高压器件样品，有效解决高频开关与能效瓶颈。
安森美强调，SiC与GaN的产能规划将与EliteSiC生态系统深度绑定，通过IDM模式保障从衬底到器件的全链可控，实现高可靠交付与成本优化的同步推进。
结语
行业分析指出，此次三家半导体巨头在巴克莱全球科技年会上的集中发声，不仅展现了第三代半导体产业加速发展的明确趋势，也反映出全球产业链对高端功率器件需求的持续升温。
随着产能扩张与技术迭代的推进，SiC/GaN器件成本将逐步下降，渗透率有望在新能源汽车、AI数据中心、光伏储能等领域实现大幅提升，为全球新能源产业与数字经济发展提供核心支撑。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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