日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目已进入产品试生产阶段。
据此前披露消息，项目于2019年11月开工建设，总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。
氮化镓半导体芯片项目于2022年12月中旬全面竣工投产，在完成厂务动力设备包含电力设备系统、水设备系统、气化设备系统、FFU系统等调试工作后，并同步对MOCVD、烤盘炉等一系列生产设备的一、二、三阶调试完成后，开始进行产品试生产。
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氮化镓半导体芯片项目的建成达产，将为百思特达增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。
盘锦高新技术产业开发区消息称，氮化镓半导体芯片项目正式投产后，百思特达将成为拥有核心竞争力的氮化镓芯片完整产业链综合高新技术产业企业，盘锦也将成为全国氮化镓芯片主要生产基地之一。
百思特达成立于2019年8月，是兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目。该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品，是全国唯一一家拥有蓝光LED外延生长技术和石墨烯薄膜沉积技术2项诺贝尔物理学奖产业的公司。（文：集邦化合物半导体 Cecilia整理）
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