8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。
图片来源：英诺赛科
相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括：
芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计；
开关性能提升20-30%，电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率；
热性能优化：在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性。
同时，全新Gen3 700V系列提供DFN5x6 (极致紧凑)、DFN8x8 (平衡性能与尺寸)、TO252 (通用性强，散热佳)、SOT223 (经典封装)在内的丰富标准封装选项，可满足多元化应用场景需求。
其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻(Ron)低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。
此外，得益于更低的导通电阻(Ron)和开关损耗，Gen3 700V系列适用于PD快充/适配器 (尤其高功率)、LED照明驱动电源、智能家电电源、数据中心服务器电源、工业开关电源(SMPS)等众多领域。
（集邦化合物半导体整理）
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