8月26日，国产半导体氮化镓激光芯片昨天在六安实现量产，距离从安徽格恩半导体有限公司的实验室里诞生，仅用了180天，意味着我国在氮化镓激光芯片领域实现突破。
同日，格恩半导体在六安曙光铂尊酒店举办氮化镓激光芯片产品发布会。
会上，格恩半导体共发布了十多款氮化镓激光芯片产品，其中包括蓝光、绿光及紫光等系列产品，据称，这些产品关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平。
据介绍，氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势，由于氮化镓激光技术壁垒较高，长期被国外少数企业垄断，我国企业需求全部依赖进口。
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近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。
目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力及量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及行业先进的产品研发平台和自动化生产线。
本次发布会的举办，意味着我国在氮化镓激光芯片领域已真正实现突破，打破了被国外企业长期垄断的局面，填补了国内氮化镓激光芯片产业化空白，缓解了该类芯片的进口“卡脖子”问题，在我国半导体激光器的发展史上具有里程碑的意义。（文：：格恩半导体、化合物半导体市场整理）
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