SiC、GaN等第三代半导体有什么疑虑?

作者 | 发布日期 2023 年 05 月 06 日 17:40 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而,现实与理想之间尚有较大差距,我们对第三代半导体的发展仍存疑虑:

前途光明,但入局者众多、行业竞争激烈,第三代半导体业者如何才能更快实现降本增效?

政策支持、资本热捧下,第三代半导体业务何时才能达到“奇点时刻”、成为相关企业的又一利润增长点?

国际环境复杂多变,对于第三代半导体产业的发展而言,利与弊是什么?企业应当如何规避风险?

碳化硅、氮化镓方兴未艾,氧化镓便汹涌而来,第三代半导体是否仍值得持续发力?

碳化硅衬底方面,中国企业在产能、良率、代际等方面与国际企业之间的差距,如何跨越?

氮化镓方面,尽管氮化镓器件能够提供更高的功率和带宽,但其终端应用仍待开发,下一步应当如何发展?

为进一步剖析第三代半导体的现状和未来。2023年6月15日,TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”,邀全球知名的第三代半导体专家、院校代表、专业研究机构、企业工程师等齐聚一堂,为第三代半导体产业的发展建言献策,共同促进第三代半导体产业的发展和升级。