纳微启动SiC外延片产能建设计划

作者 | 发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC

据外媒报道,纳微半导体日前宣布了SiC外延片产能建设计划,以加强对产业链控制、减少成本并提高其GeneSiC碳化硅业务的营收能力。

根据规划,公司将投资2000万美元,在位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立一个三反应腔的SiC外延生长设施,第一台具有6、8英寸晶圆处理能力的AIXTRON G10-SiC外延设备预计将于2024年安装到位并投产。

图片来源:拍信网正版图库

纳微半导体将其新设施提供的外延片制造视为关键工艺步骤,可以支持高达2亿美元的额外年产量。该公司同时预计,将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和封装操作。

纳微半导体首席运营官/首席技术官兼联合创始人Dan Kinzer表示:“在原始SiC衬底上生长高质量的外延层是单个设备制造的关键工艺步骤,将AIXTRON提供的能力添加到现有的分包工艺流程中可扩大可用产能,降低成品晶圆成本,增加质量并缩短周期时间” 。

2022年8月,纳微半导体并购了GeneSiC碳化硅公司,将原本的GaNFast氮化镓功率芯片产品线扩展,新增GeneSiC碳化硅产品线,纳微第三代半导体采用“双引擎战略”推进。(文:集邦化合物半导体 Amber整理)

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