8月5日，晶升股份官微宣布成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。
图片来源：晶升股份
据了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延炉生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，指标达到国际先进水平。此外，还支持N/P两种掺杂类型，可以满足不同产品需求；采用成熟的生长工艺，边部参数可控，工艺可调性强；新增掺杂气体工艺，提升生产稳定性。
晶升股份成立于2012年，是一家专注于半导体晶体生长设备领域的企业，2016年首台12英寸半导体级单晶硅炉研制成功，2018年首台第三代化合物半导体碳化硅单晶炉正式交付客户，2023年在上交所科创板上市。主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。
碳化硅外延是碳化硅器件制造中承上启下的核心环节，其质量直接决定了器件的性能、可靠性和成本。随着新能源汽车、光伏发电等领域的快速发展，碳化硅外延技术的持续创新和突破将成为推动碳化硅器件大规模应用的关键驱动力。
（集邦化合物半导体整理）
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