近日媒体报道，湖南三安半导体（以下简称“湖南三安”）于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技术平台，在碳化硅功率器件领域实现重大技术突破。
湖南三安Trench MOSFET技术平台导通电阻最低达1.75 mΩ·cm²，击穿电压超过1400V，核心静态性能处于行业领先。此外，湖南三安计划将下一代产品导通电阻再降低20%以上。
据悉，目前上述技术平台已通过电性能筛选与可靠性测试，栅氧品质等核心数据表现优异，可满足新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高要求应用场景。
未来，湖南三安将持续深化碳化硅技术研发，加速推进第三代半导体在能源转型与高端制造领域的规模化应用。
（集邦化合物半导体整理）
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