近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体动态频频，国际大厂三菱电机位于日本熊本的8英寸SiC晶圆厂已正式竣工，预示着其试生产即将启动，同时也揭示了面对市场波动的弹性产能策略；与此同时，南亚市场亦迈出历史性一步，SiCSem在印度启动了该国首个端到端SiC制造设施的动工仪式。
01、三菱电机：8英寸碳化硅晶圆厂竣工，正加速投产
近日，三菱电机位于日本熊本县菊池市的8英寸SiC功率半导体制造设施已于2025年10月1日举行竣工典礼，正式宣告工厂主体建设完成。
根据计划，该设施将立即进入准备阶段，并预计于2025年11月启动运营，采用8英寸SiC衬底开始试生产，为实现2027年正式量产奠定基础。
该工厂是三菱电机长期战略的核心体现。该扩产计划于2023年3月宣布，初期投资约1,000亿日圆，旨在应对电动车（EV）市场的强劲需求。工厂拥有六层结构，总建筑面积约4.2万平方米，设计上专注于8英寸SiC晶圆的前端制程，并全面导入自动化系统。
然而，在工厂竣工的同时，公司对产能投放采取了更为谨慎的弹性策略。鉴于近期电动车市场的需求增长速度略低于原先预期，三菱电机总裁UrumaKei在竣工典礼上透露，公司已决定将新设施的部分设备强化计划延后到2031财年及之后。总裁表示，公司将透过审查市场条件和其他因素，决定要安装多少条生产线，这显示三菱电机将根据实际的市场需求，灵活调整产能的爬坡速度和资本支出，以平衡积极扩张与市场风险。
在产能与销售目标方面，三菱电机的目标是到2026财年将SiC产能提升至2022财年的5倍，并设定了到2030财年将功率半导体业务中的SiC销售比例提高到30%以上的远期目标，显示出公司在SiC领域全面超越既有6英寸产线（2010年代后期建立）的决心。
02、SiCSem印度建厂：南亚首座端到端SiC芯片制造设施启动
在亚洲新兴市场中，印度在推动本土半导体制造的进程中迈出了历史性的一步。11月1日，SiCSem公司在印度奥里萨邦（Odisha）隆重启动了该国首个端到端（End-to-End）碳化硅半导体制造设施的动工仪式。
该SiC制造设施总投资额约2067亿卢比，彰显了对本土高科技制造的巨大信心和支持。在产能方面，该设施的目标是实现年处理6万片SiC晶圆的规模，并预计在2027年至2028年期间投入正式运营。
作为一家新兴的印度本土半导体公司，SiCSem的这一举措具有高度的战略意义，将有助于印度减少对外部SiC供应链的依赖，极大地增强该国在电动汽车（EV）及可再生能源系统等核心产业的自主可控能力。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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