进入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件领域迎来密集技术落地，头部企业纷纷加码高压、高可靠性产品布局。纳微半导体与威世（Vishay）相继发布重磅SiC新品，分别聚焦超高压场景突破与中功率市场适配。
1、纳微半导体发布3300V/2300V超高压SiC全系产品组合
12月1日，纳微半导体宣布，其全新3300V与 2300V超高压（UHV）SiC产品已正式开始向市场提供样品，覆盖功率模块、分立器件及裸片（KGD）等多种形态。该系列产品在超高压功率电子器件领域树立了全新的可靠性与性能标杆。
纳微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC™平台研发，采用TAP（沟槽辅助平面栅技术）架构，通过多级电场管理设计显著降低电压应力、提升耐压能力，相较传统trench或平面型SiC MOSFET展现更优的电压特性和可靠性。
此外，纳微进一步扩展3300V/2300V UHV SiC产品组合，提供灵活多样的封装格式，以满足客户端不同应用的需求。针对高功率密度与高可靠性系统，推出了先进的SiCPAK™ G+功率模块，支持半桥与全桥拓扑。
据悉，SiCPAK™ G+模块采用独特的环氧树脂灌封技术，相比业内常见的硅胶灌封方案，可实现 >60%的功率循环寿命提升，以及>10倍的热冲击可靠性改进。
资料显示，纳微半导体成立于2014年，是全球下一代功率半导体领域的领军企业，核心技术聚焦氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）宽禁带材料，产品覆盖消费电子、AI数据中心、新能源汽车等领域，氮化镓芯片发货超1.25亿颗。
2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模块
12月4日，威世（Vishay ）正式推出两款1200V SiC MOSFET功率模块——VS-MPY038P120与VS-MPX075P120，两款产品均基于威世新一代碳化硅技术打造，针对中高频、高功率密度的功率转换场景进行深度优化，为能源、汽车、工业等领域提供高效可靠的解决方案。
图片来源：Vishay威世科技
其中，VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑，导通电阻低至38mΩ，在+80℃工况下可支持35A连续漏极电流；VS-MPX075P120 则采用三相逆变器拓扑，导通电阻为75mΩ，+80℃下连续漏极电流可达18A，两款模块均具备 1200V耐压值与175℃最高工作结温，能适配复杂工况下的长期稳定运行。
目前，这两款1200V SiC MOSFET功率模块已正式进入量产阶段，客户可申请样品测试，批量供货周期约为13周，能够快速响应行业对高性能碳化硅功率器件的批量需求。
资料显示，威世是全球电子元器件领域的领军企业，成立于1962年，专注无源与半导体器件研发制造。产品线覆盖电阻、电容、电感等无源元件，以及二极管、传感器等半导体与光电子产品，广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天等领域。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
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