为应对电动车、AI数据中心及绿能基础设施对高效率电力转换的需求，化合物半导体晶圆代工厂汉磊9月21日宣布推出第五代碳化硅（SiC）DMOS技术平台。该平台通过通道工程与元件结构微缩，使导通损耗较前代降低12%，整体器件效能提升约15%。目前，1200V产品晶圆测试良率已突破90%，并正积极推进车用及AI高压供电应用验证。
在技术方面，汉磊Gen5 SiC DMOS将单元间距微缩至3.3 μm，单位面积导通电阻降至2.2～2.3 mΩ·cm²，可在相同芯片面积下降低导通损耗与发热量，或通过缩小芯片尺寸降低材料成本及散热设计负担。
此外，Gen5延续平面型架构，兼顾栅极氧化层可靠性与短路耐受时间。汉磊指出，目前1200V产品晶圆测试良率已稳定突破90%，有助于提升量产效率及成本竞争力。
在应用布局方面，Gen5平台已依循车规AEC-Q101及模块规范AQG 324推进客户端验证，锁定电动车主驱逆变器、车载充电器及高压DC-DC转换器等市场。同时，因应AI数据中心朝800V高压直流供电架构发展，汉磊也将Gen5导入服务器电源相关应用，协助降低电力转换损耗。
除车用与AI数据中心外，汉磊还将应用延伸至储能系统、太阳能逆变器、固态变压器及高压超充桩，未来更规划朝3.3kV以上高压领域发展，扩大SiC技术在能源基础设施中的应用范围。
汉磊总经理刘灿文表示，化合物半导体竞争已从单纯追求器件效能，扩大至可靠性、良率及产能交付能力。公司将持续深化纯晶圆代工布局与产能扩充，通过Gen5平台提升产品效能与量产成本竞争力，拓展车用、AI及绿能市场。
（集邦化合物半导体整理）
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