华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布,他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET,其核心技术创新——氟注入终端(FIT-MOS)技术——显著提升了器件的性能,使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这...  [详内文]
华为最新披露,1200V全垂直GaN技术进展 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分类 企业 , 氮化镓GaN |