在大功率、高压场景中,碳化硅功率器件正加速取代传统硅基器件,但沟槽型结构的制造难度长期制约着国产高端产品的量产进程。沟槽刻蚀均匀性与阈值电压的高度耦合,使得工艺窗口极为狭窄,良率难以提升,这一行业共性难题此前在国内始终缺乏系统性解决方案。近日,深圳平湖实验室第三代跃升研究团队在这...  [详内文]
补齐8英寸SiC短板,平湖实验室实现沟槽型JFET全链条突破 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:39 | 分类 碳化硅SiC |
