张家港经开区官微消息，4月18日上午，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。
公开资料显示，能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售。能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。
能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，规划建设生产厂房及配套设施，总建筑面积约10000平方米，采用先进半导体外延、测试等工艺技术，购置MOCVD、XRD衍射仪、AFM原子力显微镜等设备，新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。该项目将对经开区半导体产业进行横向扩能和纵向延伸，进一步增强在半导体领域的战略布局。（集邦化合物半导体整理）
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