Tag Archives: 天域半导体

80亿，天域半导体碳化硅外延项目即将试产

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 13 日 18:31 | 分类企业

8月13日，据东莞发布官微消息，广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。资料显示，该项目总投资80亿，位于松山湖生态园，总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米，建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及配套设施等，建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅（SiC）外延晶片，... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 07 月 08 日 13:54 | 分类功率

今年以来，国内外碳化硅大厂动态交织，深刻体现行业从6英寸过渡到8英寸的加速步伐。据外媒消息，意法半导体（ST）近日表示，将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。中国某头部大厂生产负责人在近日接受全球半导体观察时表示，预计从2026年至2... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分类企业

2023年3月17日，东莞市2023年首批重大项目动工仪式在松山湖天域半导体项目现场举行，启动天域半导体、光大半导体、比亚迪汽车零部件等60个重大项目建设。图片来源：拍信网正版图库其中，天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目投资额达80亿元，为此次园区集中动工项目中... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:26 | 分类碳化硅SiC

SiC属于宽禁带半导体材料，也称为第三代半导体。凭借其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。 SiC产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等部分。其中外延是承上启下的重要环节，具有非常关键的作用。天域半... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 07 日 17:00 | 分类碳化硅SiC

根据天眼查消息，广东天域半导体股份有限公司（曾用名：东莞市天域半导体科技有限公司，以下简称“天域半导体”）近日获得近12亿元融资，投资方包括中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、嘉元科技、招商资本、乾创资本等。据悉，本轮融资资金将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持... [详内文]