5月27日,罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。
图片来源:罗姆半...  [详内文]
罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分类 企业 , 氮化镓GaN |