相关资讯：碳化硅

TrendForce：2024中国碳化硅逆变器装机量占全球65%
作者 |发布日期 2024 年 12 月 13 日 13:48 | 分类 数据
根据TrendForce集邦咨询最新研究，2024年第三季度全球电动车牵引逆变器总装机量达687万台，虽季增7%，但增长幅度较去年同期已有缩减。其中，PHEV牵引逆变器的装机量季增16%，虽然低于前一季的35%，但仍是所有动力模式中增幅最高的。 从技术趋势分析，第三季SiC（碳化...  [详内文]

总投资6.3亿，顺义第三代等先进半导体项目（二期）封顶
作者 |发布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分类 产业
12月10日，据“投资顺义”消息，由北京顺义科技创新集团投资建设的第三代等先进半导体产业标准化厂房项目（二期）主体结构近日封顶。 source：投资顺义 据悉，该项目总投资6.3亿元，占地60亩，总建筑面积6.47万平方米，2023年8月开工建设，主要建设内容包含2栋生产厂房、...  [详内文]

晶格领域建成一条液相法碳化硅衬底中试线
作者 |发布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月12日，据北青网-北京青年报消息，北京晶格领域半导体有限公司（以下简称：晶格领域）已在顺义建成一条液相法碳化硅（SiC）衬底中试线，6至8英寸小规模产线也已初步建成并投入使用，产线涵盖碳化硅长晶、加工及检测等完整衬底制备工艺环节。 图片来源：拍信网正版图库 据介绍，为满足...  [详内文]

投资超10亿，瑞福芯碳化硅模块项目正式签约
作者 |发布日期 2024 年 12 月 11 日 18:00 | 分类 产业
12月11日，据瑞福芯科技官微消息，12月6日，瑞福芯科技总经理周旭光与中科院先进研究院中科中孵总经理涂乐平、深圳锦帛方激光科技有限公司总经理助理胡澎一道到江苏东台市就瑞福芯科技“车规级SiC半导体功率模块产业化项目”落地东台高新技术开发区，与东台高新区正式签署了《投资协议》、《...  [详内文]

增资10亿，国家集成电路产投基金等入股中车时代半导体
作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分类 企业 , 功率
天眼查资料显示，12月5日，株洲中车时代半导体有限公司（以下简称：中车时代半导体）发生工商变更，新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司等为股东，同时其注册资本由45.68亿元人民币增加至56.48亿元人民币。 本次增资完成后，中车时代半导体仍为株洲中车时代电气股份有限公司...  [详内文]

超芯星将开启8英寸碳化硅单晶衬底量产
作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
12月9日，据“南京江北新区”消息，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称：超芯星）近日完成了新厂房的整体搬迁，接下来，超芯星将在南京江北新区集成电路产业化基地全面开启8英寸碳化硅（SiC）单晶衬底的批量化生产。 source：南京江北新区 资料显示，超芯星成立于2019年4月，总...  [详内文]

8.33亿，Qorvo碳化硅子公司被安森美收购
作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分类 企业
12月10日，安森美宣布与Qorvo达成协议，以1.15亿美元（折合人民币约8.33亿元）现金收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一...  [详内文]

X-fab碳化硅功率器件工厂获5000万美元补助
作者 |发布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分类 企业
12月5日，据外媒报道，美国《CHIPS法案》最后阶段继续为半导体工厂提供补助，其中将向比利时X-fab公司运营的位于德克萨斯州拉伯克的碳化硅功率器件工厂提供5000万美元（约3.64亿人民币）补助。 source：X-fab 据报道，对位于拉伯克的X-fab碳化硅功率器件工厂...  [详内文]

江苏新增一个碳化硅模块封装设备项目
作者 |发布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分类 产业 , 功率
据“江苏姜堰”官微消息，堰才招商公司近日举行项目对接会，会上成功签约4个项目，涵盖了新能源、新装备、新基建等多个产业，计划总投资近20亿元，其中包括一个碳化硅项目。 source：江苏姜堰 据悉，该项目由上海弗昂元科技有限公司投资建设，项目总投资1.15亿元，租用厂房约9200...  [详内文]

电压覆盖700V，英飞凌发布全新一代氮化镓产品
作者 |发布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分类 企业
据“江苏姜堰”官微消息12月5日，据英飞凌工业半导体消息，英飞凌发布了全新一代氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列，采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V。 source：江苏姜堰 其中，CoolGaN™ ...  [详内文]