2月24日，国内功率半导体厂商江苏宏微科技股份有限公司（以下简称“宏微科技”）向客户发出“涨价通知函”，宣布将对IGBT单管及模块、MOSFET器件，2026年3月1日实施。
图片来源：宏微科技公告截图
宏微科技成立于2006年，主营业务为功率半导体器件的设计、研发、制造及销售，主要产品包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC等芯片、分立器件、模块等功率半导体器件。公司自产IGBT、FRD、SiC芯片技术已达国际先进、国内领先水平。
针对这次涨价，宏微科技在通知函指出，当前，全球半导体产业链上游核心金属材料价格波动剧烈，公司产品制造成本大幅攀升。面对成本上涨压力，宏微科技将产品质量与稳定供应置于首位，努力通过优化制造工艺、精益运营效率、提拉产能利用率等方式以缓释影响。鉴于当前的严峻形势和成本压力，经公司审慎评估，决定对部分产品实施涨价。
宏微科技表示：“我们深知此次调价可能对贵司业务带来的影响，对此深表款意。为最大限度减少波动，我司对口销售人员将主动对接，详述调价依据、过渡安排及个性化支持方案。”
稍早之前，华润微、士兰微、英飞凌等功率半导体厂商也已向客户发布产品涨价通知函。
华润微决定自2026年2月1日起，对公司全系列微电子产品价格进行适度上调，上调幅度10%起，后续将加大研发与产能投入，携手合作伙伴维护产业链可持续发展，客户服务团队将与各合作伙伴密切沟通调价相关事宜。
士兰微决定自2026年3月1日起，对旗下小信号二极管/三极管芯片、沟槽TMBS芯片、MOS类芯片等产品价格上调10%，后续将由业务部门与客户一对一沟通具体调价细节，保障供应链稳定供应及产品质量。
英飞凌则宣布自2026年4月1日起，上调部分功率开关器件及集成电路（IC）产品价格。
（集邦化合物半导体整理）
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