文章分类： 氮化镓GaN

GaN巨头换帅！曾就职于瑞萨、恩智浦、仙童

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 27 日 13:53 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月25日，全球氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体领域领军企业纳微半导体宣布，董事会聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起生效，同时他将加入董事会。 图片来源：纳微半导体新闻稿截图 此次任命标志着公司管理层顺利交接，联合创...  [详内文]

华为最新披露，1200V全垂直GaN技术进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新——氟注入终端（FIT-MOS）技术——显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这...  [详内文]

韩国650V氮化镓功率半导体，实现首次量产！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，韩国半导体公司ChipScale宣布，已经成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。 ChipScale是一家韩国无晶圆厂（Fabless）半导体公司，位于京畿道，专注于氮化镓（GaN）功率半导体的设计与开发。据悉该公司的核心技术人员来自于韩国电子通...  [详内文]

英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。 图片来源：英诺赛科 相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括： 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计...  [详内文]

超过碳化硅！新型氮化镓晶体管已突破800℃高温

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，由宾夕法尼亚州立大学电气工程教授Rongming Chu领导的研究团队，设计出了一种可在800 ℃下工作的氮化镓晶体管——足以熔化食盐的高温。这项技术突破不仅挑战了现有半导体材料的物理极限，更可能重塑极端环境下电子设备的设计逻辑。 传统硅基晶体管因带隙较窄（1.12eV），...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]