文章分类： 氮化镓GaN

东科氮化镓电源管理芯片出货量达1亿颗！

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:51 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近期，东科半导体（安徽）股份有限公司（以下简称“东科”）迎来里程碑时刻——其自主设计、封测的第1亿颗氮化镓电源管理芯片正式出货。 资料显示，东科总部位于安徽马鞍山经开区，成立于2011年。为抢占第三代半导体发展先机，2016年东科前瞻布局、启动研发，在业内率先推出并量产了全合封氮...  [详内文]

直击SEMI-e半导体展，8/12英寸衬底、高功率GaN方案集中亮相

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:39 |
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| 分类: 展会 , 氮化镓GaN
2025年9月10日，备受瞩目的SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕。 本次展会汇聚了半导体全产业链的核心代表力量，涵盖芯片设计、制造、封测、材料、设备等多个关键领域。 其中，化合物半导体作为重要展区之一，天科合达、烁科晶...  [详内文]

国内首款6英寸碳化硅基氮化镓产品：下半年将有望实现出货

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 09 日 18:33 |
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| 分类: 氮化镓GaN
9月8日，据立昂微在投资者互动平台表示，立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证，下半年将有望实现出货，目前多应用在航空航天、大型通讯基站、高铁机车、防卫市场等领域。公司相比同行的竞争优势是公司的自动化产线与砷化镓兼容，可降低成本和故障率，技术方面柔和了PED在电力电子方面的...  [详内文]

台积电酝酿碳化硅散热新突破，X-FAB氮化镓代工再升级

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 05 日 13:46 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当传统硅基半导体逐渐触及物理极限，第三代半导体日益受到重视。碳化硅、氮化镓等产品不仅在新能源汽车、5G通信以及光伏领域扮演关键角色，而且正推动产业从材料到设备、制造等领域的改革，吸引各路厂商积极布局。近期，台积电、X-FAB两家公司传出新进展。 台积电：计划将12英寸单晶碳化硅应...  [详内文]

GaN巨头换帅！曾就职于瑞萨、恩智浦、仙童

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 27 日 13:53 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月25日，全球氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体领域领军企业纳微半导体宣布，董事会聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起生效，同时他将加入董事会。 图片来源：纳微半导体新闻稿截图 此次任命标志着公司管理层顺利交接，联合创...  [详内文]

华为最新披露，1200V全垂直GaN技术进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新——氟注入终端（FIT-MOS）技术——显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这...  [详内文]

韩国650V氮化镓功率半导体，实现首次量产！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，韩国半导体公司ChipScale宣布，已经成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。 ChipScale是一家韩国无晶圆厂（Fabless）半导体公司，位于京畿道，专注于氮化镓（GaN）功率半导体的设计与开发。据悉该公司的核心技术人员来自于韩国电子通...  [详内文]

英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。 图片来源：英诺赛科 相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括： 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计...  [详内文]

超过碳化硅！新型氮化镓晶体管已突破800℃高温

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，由宾夕法尼亚州立大学电气工程教授Rongming Chu领导的研究团队，设计出了一种可在800 ℃下工作的氮化镓晶体管——足以熔化食盐的高温。这项技术突破不仅挑战了现有半导体材料的物理极限，更可能重塑极端环境下电子设备的设计逻辑。 传统硅基晶体管因带隙较窄（1.12eV），...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]