文章分类： 氮化镓GaN

布里斯托大学团队实现 GaN 突破

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:24 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，英国布里斯托大学研究团队在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊发表突破性研究，首次揭示了氮化镓（GaN）多通道晶体管中锁存效应的物理机制，并成功开发出超晶格城堡场效应晶体管（SLCFET）技术。 图片来源：《自然·电子学》期刊截图 该研究通过设计超...  [详内文]

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 图片来源：罗姆半...  [详内文]

英伟达携手纳微升级电源架构，氮化镓和碳化硅发挥核心作用

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当地时间5月21日，纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作，共同开发基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的800V高压直流（HVDC）电源架构，该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。 图片来源：纳微半导体 当前数据中心普遍采用54V低压配...  [详内文]

阿尔法推出氮化镓机器人关节模组

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 20 日 15:42 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
作为第三代半导体材料的代表，氮化镓（GaN）正以高电子迁移率、高耐压、低损耗等特性，成为人形机器人核心部件升级的关键推手。近期，国内公司传出相关新动态。 5月17日，中科阿尔法科技有限公司发布了一款基于氮化镓（GaN）驱动的机器人关节模组（型号：ZK-RI 0–PRO...  [详内文]

外延基地投产、氮化镓芯片破亿，华润微双线告捷

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:33 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
5月16日，华润微电子功率器件事业群旗下润新微电子（大连）有限公司在大连高新区黄泥川智能制造产业园举行“氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式”。活动上正式宣告其氮化镓外延生产基地建成投产，并同步庆祝氮化镓芯片累计出货量突破一亿颗。 外延生产基地正式通线 据官方披露，该外延生产...  [详内文]

全球首个氮化镓量子光源芯片发布

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
5月9日，电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强，正式发布了全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性成果标志着中国在量子科技领域迈出了重要一步，为量子互联网的发展提供了关键硬件支撑。 source：成都市发展改革委 据悉，氮化镓量子光源芯片的实际尺寸仅有0...  [详内文]

氮矽科技携手Ulike打造首款超声炮美容仪产品，加速GaN元件导入消费市场

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 30 日 16:42 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN
致力于引领全球氮化镓(GaN)革命的解决方案供应商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先进低压氮化镓集成方案DXC3510S2CA产品成功应用于由莱智能(Ulike)旗下高端品牌极萌(Jmoon)的一款超声美容仪JCS10。依靠其超高频、高效能等性能优势，该技术方案强力支持产品超声聚能和能...  [详内文]

英诺赛科多款氮化镓产品集中亮相

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 29 日 15:35 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日， 英诺赛科在慕尼黑上海电子展（Electronica China）和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）上展出的氮化镓产品及解决方案，引发行业高度关注。 其中在数据中心领域，英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V ...  [详内文]

国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台展示自研产品

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖实验室”官微消息，2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台对外全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [详内文]

闻泰科技、三安光电财报出炉，聚焦SiC与GaN进展

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，闻泰科技与三安光电相继发布最新财务报告，这两家公司均在第三代半导体碳化硅和氮化镓领域展现出积极的布局和显著的进展。闻泰科技凭借其在半导体和通信技术领域的多元化优势，在车规级碳化硅应用和氮化镓高效能领域取得突破；而三安光电则依托其在化合物半导体领域的深厚积累，在碳化硅产业链的...  [详内文]