投资90亿新台币!台亚积极布局氮化镓

作者 | 发布日期 2023 年 01 月 16 日 16:17 | 分类 氮化镓GaN

1月13日,投资中国台湾事务所召开“欢迎台商回台投资行动方案”联审会议,台亚半导体斥资近90亿台币扩大投资台湾的方案获通过。

根据投资方案,台亚半导体将在竹科厂房兴建无尘室,并增设智慧化产线、导入生产监控数位系统。此举是为了深耕氮化镓化合物半导体的研发与制造,并开拓全球市场。预计投资完成后,将为台湾创造127个高科技人才就业机会。

据悉,台亚半导体拥有近40年半导体制造销售与质量管理经验,可以提供半导体整体解决方案,经营范围包含半导体发光元件、感测元件、功率元件、磊晶材料、晶粒制造、元件封装产品的生产制造。

此外,2022年8月11日,中国台湾国科会还通过了鸿镓科技中科分公司的投资案。据悉,鸿镓科技拟投资2亿新台币设立鸿镓科技中科分公司,进驻中科台中园区,主攻研制氮化镓功率外延片及氮化镓功率晶体等产品。

图源:拍信网正版图库

事实上,近年来,中国台湾的氮化镓产业发展异常火爆。除了上述企业外,台积电、汉磊、稳懋、世界先进等也是中国台湾氮化镓产业的中坚力量。

其中,台积电在GaN器件代工领域处于全球领先地位,其主要客户包括意法半导体、纳微半导体和GaN System等。目前,台积电与IDM厂及IC设计业者合作开发的第一代硅基板氮化镓技术平台,已于2021年完成并进一步强化,该平台支持多元应用。

汉磊于2021年4月宣布投资50亿新台币,全力发展氮化镓和碳化硅外延和器件代工。汉磊暨嘉晶董事长徐建华在2021年表示,汉磊将在未来2-3年投资0.8-1.0亿美元,增加6英寸SiC产能达5-7倍,GaN月产能则倍增至2,000片。

稳懋于2019年研发出一代0.25微米的GaN HEMT、2022年6月通过发布新的碳化硅0.12μm栅极技术上的氮化镓扩展了其射频GaN技术组合。产能方面,2020年,稳懋获准进驻南科高雄园区,斥资850亿元新台币设厂,抢攻第三代半导体材料碳化硅与氮化镓商机。该厂未来产能将超越现有桃园厂二倍。

世界先进则在2022年11月宣布,其领先的8英寸0.35微米650V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证,目前已正式进入量产。据介绍,世界先进的0.35微米650V GaN-on-QST制程能与公司既有的八英寸硅晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用,以达最佳生产效率及良率。(化合物半导体市场 Winter整理)

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