ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

作者 | 发布日期 2023 年 05 月 22 日 18:59 | 分类 氮化镓GaN

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC(Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次,为了助力各种电源系统的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。

新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.(以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)方面,达到了业界超高水平。因此,新产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,新产品还内置ESD保护器件,将抗静电能力提高至3.5kV,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此,新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。

新产品已于2023年4月起投入量产(样品价格 5,000日元/个,不含税),并已开始网售,通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。

ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN 系列”,并不断致力于进一步提高器件的性能。另外,除了元器件的开发,ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。(文:ROHM)

更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。