总投资2.5亿,半导体用碳化硅蚀刻环项目竣工

作者 | 发布日期 2023 年 01 月 03 日 18:00 | 分类 碳化硅SiC

2022年12月30日,2022年株洲市项目建设“百日攻坚”行动重大项目开竣工活动正式举行。活动现场共有76个项目集中开竣工,总投资306.9亿元,半导体用碳化硅蚀刻环项目便是其中一个。

据悉,SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高,只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体,随后经精密加工而制得,主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。

本次竣工的半导体用碳化硅蚀刻环项目位于株洲高新区新马工业园,总投资约2.5亿元,占地约60亩,主要进行半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造。项目全部建成运营后,预计年均营收将达6亿元。

图片来源:拍信网正版图库

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该项目由湖南德智新材料有限公司投资,该公司是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发,生产和销售的高新技术企业。2020年,德智新材自主设计的国内最大化学气相沉积设备正式投入使用,SiC涂层石墨基座顺利实现产业化。(化合物半导体市场 Winter整理)

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